Wat is de belangrijkste reden om rond een TSV een gebied zonder transistoren (keep-out zone) aan te houden?

Antwoord: B. Omdat de eigenschappen van nabije transistoren veranderen door spanning als gevolg van het verschil in thermische uitzettingscoëfficiënt van koper en silicium

De thermische uitzettingscoëfficiënt van koper is circa 17×10⁻⁶ /K, meer dan zesmaal die van silicium (circa 2,6×10⁻⁶ /K), zodat door temperatuurwisselingen tijdens de productie spanning in het silicium rond de TSV achterblijft. Spanning verandert de mobiliteit van ladingsdragers en verschuift zo eigenschappen zoals de stroom van nabije transistoren. Daarom wordt rond de TSV een keep-out zone van circa enkele µm aangehouden waarin geen gevoelige elementen worden geplaatst.