Geavanceerde technologieën (3D-integratie, chiplets)

Welke techniek wordt gebruikt om een tot enkele tientallen µm gedunde wafer met TSV's tijdelijk op een draagwafer (carrier) te bevestigen, om breken en kromtrekken tijdens de bewerking te voorkomen?

  1. AWire bonding
  2. BTijdelijk bonden en losmaken (temporary bonding/debonding)
  3. CReflow
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: B. Tijdelijk bonden en losmaken (temporary bonding/debonding)

Een wafer die tot enkele tientallen µm is gedund, breekt zo gemakkelijk en trekt sterk krom. Daarom wordt hij met lijm tijdelijk op een draagwafer van glas of silicium bevestigd (tijdelijke bonding), worden achterzijdeslijpen en bedradingsvorming uitgevoerd en wordt hij daarna met een laser, verhitting of mechanisch losgemaakt (debonding). Bij een glazen drager kan de laser worden doorgelaten, zodat alleen de lijmlaag wordt afgebroken. Het is een belangrijke techniek om dunne wafers veilig te hanteren.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over Geavanceerde technologieën (3D-integratie, chiplets)

  1. Hoe heet het waferachtige geheel dat bij fan-out wafer-level packaging ontstaat door de uitgesneden chips met tussenruimte op een drager te plaatsen en met hars te omgeven?
  2. Welke uitspraak over een uitdaging van chiplets is juist?
  3. Wat is het belangrijkste doel van producten waarbij een SRAM-chip voor cache met hybrid bonding bovenop een processorchip wordt gestapeld?
  4. Welke methode wordt gebruikt om een silicium-interposer te maken die groter is dan het maximale gebied dat een belichtingsapparaat in één keer kan belichten (circa 26 mm × 33 mm)?
  5. Welke beschrijving van het mechanisme waarmee koperelektroden bij hybrid bonding met koper en isolatiefilm worden gebonden is juist?

Vergelijkingen bij dit onderwerp