Welke methode van driedimensionale integratie, waarbij lagen transistoren achtereenvolgens op de wafer worden opgebouwd en geen chips op elkaar worden gebonden, is dit?

Antwoord: B. Monolithische 3D-integratie (sequentiële 3D-integratie)

Bij monolithische 3D-integratie worden na het maken van de transistoren van de eerste laag daarboven een nieuwe halfgeleiderlaag gevormd of dun opgebracht en de transistoren van de tweede laag gemaakt. De lagen kunnen met via's van enkele tientallen nm worden verbonden, ruim 10.000 keer dichter dan bij het stapelen van chips met TSV's. Er is echter een laagtemperatuurproces van circa 500 °C of lager nodig, zodat de onderliggende lagen en bedrading bij het maken van de bovenste laag niet door de warmte worden beschadigd. Ook CFET is hiervan een vorm.