Techniek waarbij koperen elektroden en isolatielagen rechtstreeks aan elkaar worden gehecht, zonder bumps. Maakt een groot aantal verbindingen met zeer kleine pitch mogelijk.
Japanse benaming: ハイブリッドボンディング
“Hybride bonding (hybrid bonding)” komt voor in 10 oefenvragen uit 2 onderwerpen, bijv. Geavanceerde technologieën (3D-integratie, chiplets), Siliciumfotonica.
Vakgebied: Geavanceerde technologieën (3D-integratie, chiplets)
Antwoord: C. Een techniek waarbij zonder bumps de vlakken met koperelektroden en isolatiefilm rechtstreeks worden gebonden, voor een extreem hoge verbindingsdichtheid
Hybrid bonding is een techniek waarbij het oppervlak van chips of wafers met CMP wordt gepland en koperelektroden onderling en isolatiefilms onderling gelijktijdig rechtstreeks worden gebonden. Omdat geen soldeerbumps worden gebruikt, kan de verbindingspitch tot 10 µm of minder en zelfs tot enkele µm worden verkleind, waardoor het aantal verbindingen per mm² met ordes van grootte toeneemt. De techniek wordt toegepast in gestapelde beeldsensoren en vindt ook toepassing bij het stapelen van processor en cache en in HBM.
Antwoord: B. Chip-on-wafer-bonding (C2W)
Bij W2W worden wafers in hun geheel gebonden, wat gunstig is voor efficiëntie en uitlijnnauwkeurigheid, maar daarbij worden ook defecte chips onderling en goede met defecte chips gebonden. Bij C2W kunnen alleen goede, geteste en gesneden chips worden geselecteerd en op de wafer van de tegenpartij worden gebonden, wat gunstig is voor de yield na stapelen, en ook chips van verschillende afmetingen kunnen worden gecombineerd. Doordat de chips een voor een worden geplaatst, is de verwerkingssnelheid wel lager dan bij W2W.
Hybrid bonding is een techniek waarbij het oppervlak van chips of wafers met CMP wordt gepland en koperelektroden onderling en isolatiefilms onderling gelijktijdig rechtstreeks worden gebonden.
Welke uitspraak over hybrid bonding is juist?Bij hybrid bonding worden de vlakken met koperelektroden en isolatiefilm zonder bumps rechtstreeks gebonden, zodat de oneffenheden van het bondoppervlak op nanometerniveau of kleiner moeten zijn en geen deeltjes of verontreinigingen aanwezig mogen zijn.
Welke eis wordt bij hybrid bonding aan de te verbinden vlak…Bij hybrid bonding worden de vlakken van geplaneerde en bijvoorbeeld met plasma geactiveerde isolatiefilms (oxidefilms enz.) bij ongeveer kamertemperatuur gebonden en wordt de binding tussen de isolatiefilms daarna met een anneal (verhitting) versterkt.
Welke beschrijving van het mechanisme waarmee koperelektrod…Door ze vervolgens met microbumps of hybride bonding verticaal te stapelen, worden de verbindingen zeer kort en worden parasitaire capaciteit en inductantie klein, wat bijdraagt aan hogere snelheid en lager energieverbruik.
Wat is een juiste reden voor een opbouw waarbij een chip me…Is een nog kleinere pitch nodig, dan wordt hybrid bonding gebruikt.
Hoe heten de veel kleinere bumps dan gewone soldeerballen d…TSV (through-silicon via) CMP HBM (high bandwidth memory) Opbrengst (yield) Numerieke apertuur (NA) Plasma Contact Positie-onafhankelijke code (PIC) Transimpedantieversterker (TIA) CMOS