Nederlands
Menu

Wat is Numerieke apertuur (NA)?

Waarde die de hoek aangeeft waarover een lens licht kan verzamelen. Hoe groter, hoe hoger het oplossend vermogen.

Japanse benaming: 開口数(NA)

“Numerieke apertuur (NA)” komt voor in 267 oefenvragen uit 49 onderwerpen, bijv. CMP en reiniging, Opkomende geheugentechnologieën, LSI-ontwerpflow en EDA.

Diepteprofiel van de dotering na ionenimplantatie Diepte Oppervlak Doteringsconcentratie Rp (geprojecteerd bereik) ΔRp (spreiding) Piek Staart door channeling
Diepteprofiel van de dotering na ionenimplantatie · Bekijken in het figurenoverzicht

Vakgebied: Lithografie

Nu oefenen: vragen over Numerieke apertuur (NA)

Welke relatie tussen de gatelengte (lengte van de gate-elektrode op het masker of na bewerking) en de effectieve kanaallengte van een MOSFET is in het algemeen juist?

  1. ADe effectieve kanaallengte is korter dan de gatelengte met de mate waarin source en drain zich zijdelings onder de gate hebben uitgebreid
  2. BDe effectieve kanaallengte is altijd langer dan de gatelengte
  3. CDe effectieve kanaallengte en de gatelengte zijn altijd volkomen gelijk
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: A. De effectieve kanaallengte is korter dan de gatelengte met de mate waarin source en drain zich zijdelings onder de gate hebben uitgebreid

Omdat onzuiverheden van source en drain zich door implantatie en warmtebehandeling een beetje zijdelings tot onder de gate-elektrode uitbreiden, is de effectieve kanaallengte aan beide zijden met de overlap korter dan de gatelengte. Het overlapgedeelte wordt de overlapcapaciteit tussen gate en source/drain en vergroot via het Miller-effect de vertraging. Bij geavanceerde generaties wordt de warmtebehandeling zeer kort gemaakt (milliseconde-anneal) om de uitbreiding te onderdrukken. Merk op dat generatienamen zoals '3 nm' niet overeenkomen met de werkelijke gatelengte.

Na welke tijd bereikt de condensatorspanning bij de stapresponsie van een RC-schakeling circa 63% van de eindwaarde?

  1. ARC / 2
  2. BRC (tijdconstante)
  3. C5RC
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: B. RC (tijdconstante)

De condensatorspanning van een RC-schakeling verloopt als V(1 − e^(−t/RC)) en bereikt bij t = RC 1 − 1/e ≈ 63%. Dit RC is de tijdconstante τ; bij 2τ is dat circa 86%, bij 3τ circa 95% en bij 5τ meer dan 99%, zodat in de praktijk bij 5τ het opladen als voltooid wordt beschouwd. Bij 10 kΩ en 1 µF is τ bijvoorbeeld 10 ms. Het wordt gebruikt voor de vertraging van resetschakelingen van microcontrollers, het onderdrukken van schakelaarstuiteren en het schatten van de oplaadtijd van een cameraflits.

“Numerieke apertuur (NA)” in de toelichting

Vragen met “Numerieke apertuur (NA)” (267)

  1. Welke relatie tussen de gatelengte (lengte van de gate-elektrode op het masker of na bewerking) en de effectieve kanaallengte van een MOSFET is in het algemeen juist?
  2. Na welke tijd bereikt de condensatorspanning bij de stapresponsie van een RC-schakeling circa 63% van de eindwaarde?
  3. Welke van de volgende geheugens is een niet-vluchtig geheugen waarvan de gegevens ook na het uitschakelen van de voeding behouden blijven?
  4. Wat is de belangrijkste reden dat met Mg gedoteerd GaN dat met MOCVD is gegroeid direct na de groei hoogohmig is en niet p-type wordt, en welke tegenmaatregel hoort daarbij?
  5. Welke uitspraak over de kenmerken van de CFET (Complementary FET), die als structuur na GAA wordt onderzocht, is juist?
  6. Welke uitspraak over de wafers van 450 mm, die als volgende diameter na 300 mm werden ontwikkeld, is juist?
  7. Wat is het doel van het dun laten groeien (necking) van het kristal direct na het zaadkristal aan het begin van het trekken bij de CZ-methode?
  8. Hoe heet bij thermische diffusie de stap waarmee onzuiverheden dieper worden gedreven na de stap waarbij een vaste hoeveelheid onzuiverheden aan het oppervlak wordt aangebracht?
  9. Wat is het juiste hoofddoel van een anneal (warmtebehandeling) na ionenimplantatie?
  10. Welke combinatie van de verdeling die de diepteverdeling van de dopeerstof na ionenimplantatie bij benadering beschrijft en de grootheid die de diepte van de piek aangeeft, is juist?
  11. Hoe heet het verschijnsel waarbij in de beginfase van de anneal na ionenimplantatie de diffusie van boor en dergelijke tijdelijk sneller verloopt door de invloed van interstitieel silicium dat door de implantatie is ontstaan?
  12. Wat is het belangrijkste doel van densificatie, het na de depositie bij hoge temperatuur uitgloeien van oxidelagen die bij lage temperatuur met CVD zijn afgezet?
  13. Welke methode verbetert, uitgaande van de resolutieformule R = k1 × λ / NA, de resolutie (maakt R kleiner)?
  14. Wat gebeurt er in het algemeen met de scherptediepte (DOF) als de numerieke apertuur (NA) van het belichtingsapparaat wordt vergroot?
  15. Welke uitspraak over de coëfficiënt k1 in de resolutieformule R = k1 × λ / NA is juist?

Verwante termen

Via CMP Opbrengst (yield) Ionenimplantatie Interrupt Microcontroller (MCU) Plaatsing en routering (place and route) GPU MRAM CMOS

Naar de woordenlijst