Aantal ionen dat bij ionenimplantatie per oppervlakte-eenheid wordt ingeschoten. Uitgedrukt in cm⁻² en bepaald door bundelstroom en implantatietijd.
Japanse benaming: ドーズ量
“Dosis” komt voor in 23 oefenvragen uit 3 onderwerpen, bijv. Ionenimplantatie, Lithografie, LSI-ontwerpflow en EDA.
Vakgebied: Ionenimplantatie
Antwoord: B. ions/cm² (aantal ionen per oppervlakte-eenheid)
De dosis is het aantal ionen dat per oppervlakte-eenheid van de wafer is geïmplanteerd en wordt uitgedrukt in ions/cm² (of atoms/cm²). 10¹⁵ cm⁻² is bijvoorbeeld van dezelfde orde als het aantal atomen aan het siliciumoppervlak (ongeveer 7×10¹⁴ cm⁻²). eV is de eenheid van de versnellingsenergie van ionen en Ω/□ is de eenheid van de laagweerstand; de laagweerstand na implantatie wordt vaak gebruikt om dosis en activeringsgraad te controleren.
Antwoord: C. Ongeveer 16 seconden
Het totale aantal geïmplanteerde ionen is 1×10¹⁵ × 100 = 1×10¹⁷ en hun lading is 1×10¹⁷ × 1,6×10⁻¹⁹ = 1,6×10⁻² C. Gedeeld door de stroom 1 mA = 1×10⁻³ C/s geeft dit 16 seconden. In een echt apparaat valt een deel van de bundel buiten de wafer en komt de scantijd voor heen en weer erbij, dus het duurt langer. Bundels van enkele tientallen mA in high-current-apparaten worden gebruikt om de productiviteit bij implantaties met hoge dosis te verhogen.
De dosis is het aantal ionen dat per oppervlakte-eenheid van de wafer is geïmplanteerd en wordt uitgedrukt in ions/cm² (of atoms/cm²).
Welke eenheid drukt de dosis van ionenimplantatie juist uit?Bundels van enkele tientallen mA in high-current-apparaten worden gebruikt om de productiviteit bij implantaties met hoge dosis te verhogen.
Eenwaardige ionen worden geïmplanteerd in een wafer met een…Voor implantaties met hoge dosis van rond 10¹⁵ ions/cm², zoals source, drain en polysiliciumgates, wordt het high-current-type gebruikt dat bundels van enkele mA tot enkele tientallen mA kan leveren; de sleutel is de techniek om bundels met lage energie en grote stroom zonder uitwaaiering te transporteren.
Welke ionenimplanter wordt gebruikt om, zoals bij de vormin…Omdat de lading per ion bekend is, kan door integratie van de stroom over de tijd het aantal geïmplanteerde ionen (de dosis) worden bepaald en wordt de implantatie gestopt als het doel is bereikt.
Welk onderdeel van een ionenimplanter meet de bundelstroom …De concentratie is „dosis ÷ diepte”, en omdat 100 nm = 1×10⁻⁵ cm is, is 1×10¹⁵ ÷ 1×10⁻⁵ = 1×10²⁰ cm⁻³.
Als dopeerstof met een dosis van 1×10¹⁵ cm⁻² uniform over e…Ionenimplantatie Numerieke apertuur (NA) Oplosbaarheid (solid solubility) Fotoresist Ashing Projected range (Rp) Plasma EUV-belichting Lint Halo-implantatie (pocket-implantatie)