Gemiddelde diepte waarop geïmplanteerde ionen tot stilstand komen. Hoe hoger de versnellingsenergie en hoe lichter het ion, hoe dieper.
Japanse benaming: 投影飛程
“Projected range (Rp)” komt voor in 5 oefenvragen uit 1 onderwerpen, bijv. Ionenimplantatie.
Vakgebied: Ionenimplantatie
Antwoord: B. Een gaussische verdeling, waarbij de diepte van de piek de projected range (Rp) heet
De verdeling van geïmplanteerde dopeerstof is bij benadering gaussisch, waarbij de diepte van de piek de projected range Rp is en de spreiding de standaardafwijking ΔRp. De piekconcentratie kan worden geschat als „dosis ÷ (2,5 × ΔRp)”. Rp en ΔRp worden bepaald door versnellingsenergie en ion- en substraatsoort, en er zijn tabellen beschikbaar. In werkelijkheid is de verdeling asymmetrisch of strekt de staart zich door channeling naar de diepe kant uit, dus nauwkeurigere verdelingsfuncties en simulaties worden gebruikt.
Antwoord: C. De resist moet voor de implantatie-energie dik genoeg zijn, zodat de ionen er niet doorheen dringen
Als de resist te dun is, dringen ionen met hoge energie erdoorheen en worden ook de afgedekte delen geïmplanteerd. Omdat resist een lage dichtheid heeft en ionen dieper dan in silicium doordringen, is in het algemeen een dikte van meerdere malen de ionenrange (Rp + enkele ΔRp) nodig, en bij implantaties in de MeV-klasse wordt dikke resist van enkele µm tot ongeveer 10 µm gebruikt. Bij implantaties met hoge dosis verkoolt en verhardt het resistoppervlak en is het moeilijk te verwijderen, dus ook de ashing-omstandigheden verdienen aandacht.
De verdeling van geïmplanteerde dopeerstof is bij benadering gaussisch, waarbij de diepte van de piek de projected range Rp is en de spreiding de standaardafwijking ΔRp.
Welke combinatie van de verdeling die de diepteverdeling va…Omdat resist een lage dichtheid heeft en ionen dieper dan in silicium doordringen, is in het algemeen een dikte van meerdere malen de ionenrange (Rp + enkele ΔRp) nodig, en bij implantaties in de MeV-klasse wordt dikke resist van enkele µm tot ongeveer 10 µm gebruikt.
Waarop moet worden gelet bij het gebruik van fotoresist als…Bij 50 keV is Rp van fosfor (massa 31) bijvoorbeeld ongeveer 60 nm, terwijl arseen (massa 75) ongeveer 30 nm heeft.
Welke relatie tussen de range van arseen (massagetal 75) en…Daarom ontstaat de kristalschade het meest rond de range waar de ionen stoppen en iets daarvoor (op ongeveer 0,7-0,8 keer Rp).
Welke verdeling van de door ionenimplantatie veroorzaakte k…Geïmplanteerde ionen komen tot stilstand door herhaalde botsingen met atomen, dus ze spreiden niet alleen in de diepterichting maar ook zijdelings, met een standaardafwijking van dezelfde orde als ΔRp in de diepterichting (enkele nm tot enkele tientallen nm).
Wat is de juiste oorzaak waarom dopeerstof bij implantatie …Ionenimplantatie Dosis Numerieke apertuur (NA) Channeling Fotoresist Ashing Faradaycup Gloeien (annealing) Halo-implantatie (pocket-implantatie) Laseranneal