Techniek waarbij onzuiverheden worden geioniseerd, versneld en in de wafer geschoten. Dosis en diepte zijn nauwkeurig te regelen.
Japanse benaming: イオン注入
“Ionenimplantatie” komt voor in 37 oefenvragen uit 11 onderwerpen, bijv. Ionenimplantatie, Oxidatie en diffusie, Epitaxiale groei.
Vakgebied: Ionenimplantatie
Antwoord: A. Versnellingsenergie
De implantatiediepte wordt vooral bepaald door de versnellingsenergie van de ionen: hoe hoger de energie, hoe dieper ze doordringen. Als richtwaarde dringt boor in silicium bij 10 keV ongeveer 30-40 nm door en bij 100 keV ongeveer 0,3 µm. Bij dezelfde energie dringen lichtere ionen dieper door, dus ook de ionsoort beïnvloedt de diepte. De dosis is het aantal ionen per oppervlakte-eenheid en bepaalt de concentratie; het is een sterk punt van ionenimplantatie dat deze onafhankelijk van de diepte kan worden ingesteld.
Antwoord: B. Kristaldefecten herstellen en de dopeerstof op roosterplaatsen brengen zodat die elektrisch wordt geactiveerd
Geïmplanteerde ionen verstoren het siliciumkristal en blijven grotendeels op interstitiële plaatsen waar ze niet als donor of acceptor werken, dus direct na implantatie zijn ze nauwelijks elektrisch actief. Tijdens de anneal herstelt de kristalschade en worden dopeerstoffen op roosterplaatsen gebracht en geactiveerd. Om te sterke diffusie van de dopeerstof te voorkomen, worden RTA (enkele seconden met lampen verwarmen) en flashlamp- of laser-anneal in milliseconden of korter gebruikt.
De dosis is het aantal ionen per oppervlakte-eenheid en bepaalt de concentratie; het is een sterk punt van ionenimplantatie dat deze onafhankelijk van de diepte kan worden ingesteld.
Welke parameter bepaalt bij ionenimplantatie vooral de diep…Ionenimplantatie kan bij ongeveer kamertemperatuur worden uitgevoerd, zodat fotoresist als masker kan worden gebruikt, en de geïmplanteerde hoeveelheid kan met een nauwkeurigheid van ongeveer ±1% worden beheerd via de geïntegreerde bundelstroom.
Wat is het belangrijkste voordeel van ionenimplantatie ten …Overtollige interstitiële siliciumatomen die door ionenimplantatie ontstaan, vormen paren met boor en bevorderen de boordiffusie, zodat de diffusie in de beginfase van de anneal tijdelijk tientallen tot ongeveer duizend keer wordt versneld.
Hoe heet het verschijnsel waarbij in de beginfase van de an…Bij ionenimplantatie met hoge energie kan dopeerstof op een diepte van enkele µm tot ongeveer 10 µm onder het oppervlak worden ingebracht.
Welk voorbeeld van een toepassing van ionenimplantatie met …Bij ionenimplantatie worden dopeerstoffen zoals boor en fosfor geïoniseerd, met massa-analyse geselecteerd en met een elektrisch veld versneld en met hoge snelheid in de wafer geschoten.
Welke omschrijving van het principe van ionenimplantatie is…Numerieke apertuur (NA) Dosis Thermische diffusie Fotoresist Ashing Channeling Via Projected range (Rp) CMOS Epitaxiale groei