En implantation ionique, nombre d'ions implantés par unité de surface. Exprimée en cm⁻², elle dépend du courant de faisceau et de la durée d'implantation.
Nom japonais: ドーズ量
« Dose » apparaît dans 26 questions d'entraînement réparties sur 5 thèmes, dont Implantation ionique, Lithographie, Oxydation et diffusion.
Domaine: Implantation ionique
Réponse : B. ions/cm² (nombre d'ions par unité de surface)
La dose est le nombre d'ions implantés par unité de surface du wafer, exprimé en ions/cm² (ou atoms/cm²). Par exemple, 10¹⁵ cm⁻² est du même ordre que le nombre d'atomes à la surface du silicium (environ 7×10¹⁴ cm⁻²). L'eV est l'unité de l'énergie d'accélération des ions et Ω/□ celle de la résistance carrée ; la résistance carrée après implantation sert souvent à vérifier la dose et le degré d'activation.
Réponse : C. Environ 16 secondes
Le nombre total d'ions implantés est 1×10¹⁵ × 100 = 1×10¹⁷, de charge 1×10¹⁷ × 1,6×10⁻¹⁹ = 1,6×10⁻² C. Divisé par le courant de 1 mA = 1×10⁻³ C/s, cela donne 16 secondes. Dans un équipement réel, une partie du faisceau tombe hors du wafer et le temps de balayage aller-retour s'ajoute, ce qui allonge la durée. Les implanteurs fort courant utilisent des faisceaux de plusieurs dizaines de mA pour améliorer la productivité des implantations à forte dose.
La dose est le nombre d'ions implantés par unité de surface du wafer, exprimé en ions/cm² (ou atoms/cm²).
Quelle est l'unité correcte de la dose en implantation ioni…Les implanteurs fort courant utilisent des faisceaux de plusieurs dizaines de mA pour améliorer la productivité des implantations à forte dose.
On implante des ions monochargés sur un wafer de 100 cm² av…Plus la dose est élevée, plus la quantité totale d'impuretés et donc de porteurs augmente dans la couche implantée, et la résistance carrée diminue.
À conditions de recuit identiques, que devient généralement…En corrigeant la vitesse de balayage selon la position et en mesurant le profil du faisceau par cage de Faraday pour rétroaction, on limite la non-uniformité de dose sur le wafer à environ 0,5 % ou moins.
Quelle méthode permet d'uniformiser la dose sur la surface …La charge par ion étant connue, l'intégration du courant dans le temps donne le nombre d'ions implantés (dose), et l'implantation est arrêtée lorsque la cible est atteinte.
Dans un implanteur ionique, quel composant mesure le couran…Implantation ionique Cage de Faraday Recuit Plasma MOL (middle-of-line) Solubilité limite Résine photosensible (photorésine) Décapage plasma (ashing) OPC (correction optique de proximité) Diffusion thermique