Methode waarbij aan de rand van source en drain onder een hoek doteringsatomen van hetzelfde geleidingstype als het kanaal worden geïmplanteerd. Beperkt de verbreding van de uitputtingslaag van de drain en daarmee kortekanaaleffecten.
Japanse benaming: ハロー注入(ポケット注入)
“Halo-implantatie (pocket-implantatie)” komt voor in 4 oefenvragen uit 2 onderwerpen, bijv. Ionenimplantatie, MOSFET.
Vakgebied: Ionenimplantatie
Antwoord: B. De uitputtingslagen van source en drain raken verbonden en er loopt een stroom die niet met de gate te regelen is
Bij een kort kanaal en een lage substraatconcentratie raakt door de drainspanning de uitputtingslaag aan de drainzijde verbonden met die aan de sourcezijde, en loopt los van de gate een stroom diep in het substraat, waardoor uitschakelen niet meer mogelijk is. Dit is punch-through. Tegenmaatregelen zijn een laag met hoge concentratie onder source en drain (halo-/pocket-implantatie), ondiepere overgangen en, zoals bij FinFET en GAA, de gate rond het kanaal te leggen zodat het niet-regelbare stroompad verdwijnt.
Antwoord: B. Het short-channel-effect onderdrukken
Bij halo-implantatie wordt de wafer ongeveer 20-45° gekanteld en wordt dopeerstof van hetzelfde geleidingstype als het kanaal lokaal in de buurt van de source- en drainranden aangebracht, zodat die onder de gate reikt. Doordat de uitputtingszone die zich vanuit de drain uitbreidt wordt onderdrukt, worden ook bij kleinere gatelengte de daling van de drempelspanning en punch-through onderdrukt. De mobiliteit daalt minder dan wanneer het hele kanaal hoger wordt gedoteerd, en het was standaard in kleine planaire transistors.
Tegenmaatregelen zijn een laag met hoge concentratie onder source en drain (halo-/pocket-implantatie), ondiepere overgangen en, zoals bij FinFET en GAA, de gate rond het kanaal te leggen zodat het niet-regelbare stroompad verdwijnt.
Welke uitleg over punch-through van een MOSFET is juist?Bij halo-implantatie wordt de wafer ongeveer 20-45° gekanteld en wordt dopeerstof van hetzelfde geleidingstype als het kanaal lokaal in de buurt van de source- en drainranden aangebracht, zodat die onder de gate reikt.
Wat is het belangrijkste doel van halo-(pocket-)implantatie…Als de wafer voor maatregelen tegen channeling of voor halo-implantatie wordt gekanteld, bereiken ionen de delen in de schaduw van hoge resist of gates niet (shadowing).
Hoe heet het verschijnsel dat bij een gekantelde wafer bij …Ionenimplanters worden naar dosis- en energiebereik ingedeeld in medium-current (zoals drempelspanningsinstelling en halo-implantatie, 10¹¹-10¹⁴ cm⁻²), high-current (hoge dosis zoals source en drain) en high-energy (zoals diepe wells).
Welke ionenimplanter wordt vooral gebruikt voor implantatie…Punch-through Uitputtingslaag (depletion layer) FinFET GAA (gate-all-around) Drempelspanning (threshold voltage) Mobiliteit Ionenimplantatie Channeling Shadowing Dosis