Lichtgevoelig materiaal waarvan de oplosbaarheid in de ontwikkelaar verandert onder invloed van licht. Bij een positieve resist lost het belichte deel op, bij een negatieve resist blijft het belichte deel staan.
Japanse benaming: フォトレジスト
“Fotoresist” komt voor in 14 oefenvragen uit 7 onderwerpen, bijv. Procesmaterialen (gassen, chemicaliën), Ionenimplantatie, Etsen.
Vakgebied: Lithografie
Antwoord: C. De resist moet voor de implantatie-energie dik genoeg zijn, zodat de ionen er niet doorheen dringen
Als de resist te dun is, dringen ionen met hoge energie erdoorheen en worden ook de afgedekte delen geïmplanteerd. Omdat resist een lage dichtheid heeft en ionen dieper dan in silicium doordringen, is in het algemeen een dikte van meerdere malen de ionenrange (Rp + enkele ΔRp) nodig, en bij implantaties in de MeV-klasse wordt dikke resist van enkele µm tot ongeveer 10 µm gebruikt. Bij implantaties met hoge dosis verkoolt en verhardt het resistoppervlak en is het moeilijk te verwijderen, dus ook de ashing-omstandigheden verdienen aandacht.
Antwoord: B. Het oppervlak wordt een verkoolde, geharde laag, en bij plotselinge verhitting met gewone ashing barst die gemakkelijk door gas uit het binnenste (popping)
Resist die een implantatie met hoge dosis heeft ondergaan, verliest waterstof aan het oppervlak, verkoolt en wordt een harde schil (crust) van enkele tientallen nm. Bij ashing op hoge temperatuur barst de schil door gas uit de zachte resist eronder (popping), wat residuen en deeltjes veroorzaakt. Maatregelen zijn nodig, zoals stapsgewijs vanaf lage temperatuur behandelen of de schil eerst met een waterstofplasma verwijderen, en de strip na implantatie, inclusief het verwijderen van residuen, is een van de moeilijke processtappen.
Fotoresist is een lichtgevoelige hars waarvan de chemische eigenschappen door licht veranderen en die in een dikte van enkele tientallen nm tot enkele µm wordt aangebracht.
Welke omschrijving van fotoresist is juist?Fotoresist is een lichtgevoelig materiaal dat reageert op licht en warmte, dus het wordt in een lichtafschermende container bij een voorgeschreven temperatuur, bijvoorbeeld gekoeld, bewaard en binnen de houdbaarheidsdatum gebruikt.
Welke methode is geschikt voor de gebruikelijke opslag van …Ionenimplantatie kan bij ongeveer kamertemperatuur worden uitgevoerd, zodat fotoresist als masker kan worden gebruikt, en de geïmplanteerde hoeveelheid kan met een nauwkeurigheid van ongeveer ±1% worden beheerd via de geïntegreerde bundelstroom.
Wat is het belangrijkste voordeel van ionenimplantatie ten …De spreiding over de wafer kan binnen enkele nm blijven, en het wordt gebruikt voor het aanbrengen van fotoresist, antireflectielagen, uit oplossing aangebrachte isolatielagen (SOG) en beschermlagen van polyimide.
Hoe heet de methode waarbij een vloeibaar materiaal op het …Bij de halfgeleiderproductie worden, naast de wafer als substraat, honderden soorten hoogzuivere materialen gebruikt: diverse gassen voor afzetting en etsen, chemicaliën voor reiniging en etsen, fotoresist voor belichting, sputtertargets en CMP-slurry en -kussens.
Welke combinatie van hoofdsoorten procesmaterialen die bij …Ionenimplantatie Ashing Dosis Numerieke apertuur (NA) Projected range (Rp) Plasma Hardmask 3D NAND Chemisch versterkte resist (CAR) Oplosbaarheid (solid solubility)