什麼是簡併半導體

正確答案：B. 位於比本質費米能階更靠近導帶的一側

n型中導帶的電子較多，因此費米能階會從能隙中央附近的本質費米能階移向導帶側。其位置由 Ec − EF ≈ kT·ln(Nc/ND) 決定，施體濃度每增為10倍，費米能階在室溫下約再靠近導帶60 mV。p型則相反，移向價電帶側。費米能階並非永遠位於禁帶之中，濃度非常高時會進入能帶內（簡併半導體）。

正確答案：C. 簡併半導體

當雜質濃度非常高（矽中約10¹⁸～10¹⁹ cm⁻³以上）時，費米能階會進入導帶或價電帶之中，呈現接近金屬的性質。這就是簡併半導體，此時 n × p = ni² 這個簡單的式子不再成立，能隙在表觀上也會變小（能隙窄化）。MOSFET的源極、汲極，與電極的低電阻接觸，以及穿隧二極體的高濃度區域都是例子。