什麼是轉導

汲極電流變化相對於閘極電壓變化的比例，記為 gm。表示電晶體的放大能力，放大電路的增益大致由 gm 與負載電阻的乘積決定。

日文名稱: 相互コンダクタンス

「轉導」出現在2領域的2道練習題中（半導體物性, MOSFET等）。

這個名詞所屬的領域: MOSFET

練習轉導的題目

同時含有施體濃度5×10¹⁶ cm⁻³與受體濃度2×10¹⁶ cm⁻³的矽（室溫、全部離子化），其性質下列何者正確？

A為p型，電洞濃度約2×10¹⁶ cm⁻³
B為n型，電子濃度約3×10¹⁶ cm⁻³
C為n型，電子濃度約7×10¹⁶ cm⁻³

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正確答案：B. 為n型，電子濃度約3×10¹⁶ cm⁻³

施體與受體同時存在時會互相抵消（補償），呈現數量較多者的型別。施體較多所以是n型，電子濃度為兩者之差 5×10¹⁶ − 2×10¹⁶ = 3×10¹⁶ cm⁻³。不過，載子會被合計7×10¹⁶ cm⁻³的離子化雜質所散射，因此遷移率比相同電子濃度的無補償材料更低。在井（well）中製作源極、汲極時，也是利用這種抵消（反摻雜）來反轉導電型。

關於MOSFET的轉導gm的定義，下列何者正確？

A汲極電流的變化相對於閘極電壓變化的比率
B將汲極電壓除以汲極電流所得的值
C閘極絕緣膜的電容

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正確答案：A. 汲極電流的變化相對於閘極電壓變化的比率

轉導為 gm = ∂ID/∂VGS，表示閘極電壓的變化能使汲極電流改變多少。在長通道的飽和區，gm = 2ID/(VGS − Vth) = √(2μCox(W/L)ID)。放大電路的電壓增益為 gm × 負載電阻，單一電晶體的最大增益則由 gm × ro 決定。每單位電流的gm（gm/ID）是效率的指標，類比設計中以gm/ID法決定尺寸的情形日益增多。

解析中的「轉導」

在井（well）中製作源極、汲極時，也是利用這種抵消（反摻雜）來反轉導電型。
同時含有施體濃度5×10¹⁶ cm⁻³與受體濃度2×10¹⁶ cm⁻³的矽（室溫、全部離子化），其性質下列何者正確？
轉導為 gm = ∂ID/∂VGS，表示閘極電壓的變化能使汲極電流改變多少。
關於MOSFET的轉導gm的定義，下列何者正確？

什麼是轉導

練習轉導的題目

同時含有施體濃度5×10¹⁶ cm⁻³與受體濃度2×10¹⁶ cm⁻³的矽（室溫、全部離子化），其性質下列何者正確？

關於MOSFET的轉導gm的定義，下列何者正確？

解析中的「轉導」

出現「轉導」的題目（2題）

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