關於熱平衡狀態下PN接面的空乏區，下列說明何者正確？

正確答案：C. 幾乎沒有載子，只留下離子化雜質的電荷

在接面附近，電子與電洞相互擴散並復合，形成幾乎沒有載子的空乏區。p側留下帶負電的受體離子，n側留下帶正電的施體離子，這些固定電荷產生由n側指向p側的內建電場，阻止進一步的擴散。在矽的典型接面中，寬度約為0.1～1 µm，由於沒有載子，其行為如同絕緣體，並發揮電容的作用。

• A. 空乏區是多數載子被驅離的區域。
• B. 空乏區中幾乎不存在載子。
• C. 正確。載子耗盡，留下固定的離子電荷。