離子佈植 離子佈植後進行退火（熱處理）的主要目的，下列何者正確？ A使佈植的雜質蒸發而去除 B修復晶體缺陷，並使雜質進入晶格位置而在電性上活化 C在晶圓表面成長厚的氧化膜 查看答案與解析 正確答案：B. 修復晶體缺陷，並使雜質進入晶格位置而在電性上活化 被佈植的離子會擾亂矽的晶體，且多數停留在不具施體或受體作用的晶格間位置，因此剛佈植完幾乎沒有電性作用。藉由退火修復晶體的損傷，並使雜質取代晶格位置而活化。為避免雜質過度擴散，會使用以燈管加熱數秒的RTA，以及毫秒以下的閃光燈、雷射退火。