先端トランジスタ(FinFET・GAA) GAAの次の世代の構造として研究されているCFET(Complementary FET)の特徴として正しいものはどれか。 Aゲート電極をなくして構造を簡単にする BnMOSとpMOSを縦方向に積み重ね、セルの面積を縮小する Cトランジスタを平面型に戻す 答えと解説を見る 正解：B. nMOSとpMOSを縦方向に積み重ね、セルの面積を縮小する CFETは、CMOS回路を構成するnMOSとpMOSを横に並べるのではなく、縦に積み重ねる構造です。同じ機能の回路をより小さな面積でつくれるため、GAAの次の微細化の手段として研究開発が進められています。