先端トランジスタ(FinFET・GAA)
nMOSとpMOSのナノシートの間に薄い絶縁の壁を挟んで近づけ、セルの面積を小さくする構造はどれか。
- AFD-SOI
- Bプレーナ型MOSFET
- Cフォークシート型FET
答えと解説を見る
正解：C. フォークシート型FET
フォークシート型FETは、nMOSとpMOSのナノシートを誘電体の壁の両側に配置し、フォークの歯のような形にした構造です。nとpの間隔を大幅に詰められるため、スタンダードセルやSRAMの面積を小さくできます。GAAとCFETの間の世代の候補として研究されています。
- A. FD-SOIは薄いシリコン層を絶縁膜の上に置いた平面型の構造です。
- B. プレーナ型は平面のチャネルをもつ従来の構造です。
- C. 正しい。誘電体の壁の両側にnとpのシートを配置します。