先端トランジスタ(FinFET・GAA)

ナノシート型GAAトランジスタの「ナノシート」が指すものとして正しいものはどれか。

  1. Aチップを保護するシート状のフィルム
  2. B厚さ数nmの薄い板状のシリコンチャネルで、上下に積み重ねて使う
  3. Cゲート絶縁膜に使う薄い金属の板
答えと解説を見る

正解:B. 厚さ数nmの薄い板状のシリコンチャネルで、上下に積み重ねて使う

ナノシートは、厚さ数nm、幅数十nmほどの薄い板状のシリコンのチャネルです。これを数枚上下に積み重ね、それぞれをゲートが全周から囲みます。FinFETのフィンを横に寝かせて積み重ねたような構造です。

  • A. 保護用のフィルムではありません。
  • B. 正しい。薄い板状のチャネルを積み重ねたものです。
  • C. ゲート絶縁膜はHigh-kなどの絶縁物で、金属の板ではありません。
この分野を解く 分野ページへ

先端トランジスタ(FinFET・GAA)のほかの問題

  1. 「High-kゲート絶縁膜」のkが表すものはどれか。
  2. フィンの高さ50 nm、幅6 nmのFinFETで、フィン1本あたりの実効的なチャネル幅(ゲートが囲む周の長さ)に最も近いものはどれか。
  3. FinFETで短チャネル効果を十分に抑えるために、フィンの幅について一般に求められることはどれか。
  4. High-k/メタルゲートのトランジスタで、シリコンとHigh-k膜(ハフニウム系酸化膜など)の間に、ごく薄いSiO2などの層を設けることが多い理由はどれか。
  5. 将来のnMOSのチャネル材料として、InGaAsなどのIII-V族化合物半導体が研究されてきた主な理由はどれか。