Wat is Slurry?

Vloeistof voor CMP waarin fijne slijpdeeltjes in een chemische oplossing zijn gedispergeerd. Maakt het oppervlak vlak door chemische werking te combineren met mechanisch polijsten.

Japanse benaming: スラリー

“Slurry” komt voor in 17 oefenvragen uit 2 onderwerpen, bijv. CMP en reiniging, Procesmaterialen (gassen, chemicaliën).

Vakgebied: CMP en reiniging

Wat er in een CMP-slurry zit

Een slurry voor CMP (chemisch-mechanisch polijsten) is een suspensie van abrasieve deeltjes, meestal tientallen tot meer dan honderd nanometer groot, in een chemische oplossing. Gangbare abrasieven zijn silica (SiO2), ceria (CeO2) en alumina. De vloeistof bevat pH-regelaars, oxidatoren voor metalen, corrosieremmers zoals benzotriazool voor koper, en dispergeermiddelen die voorkomen dat deeltjes samenklonteren. Deeltjesgrootte, hardheid, concentratie en chemie worden per laag afgestemd, en slurry is een van de grootste kostenposten aan verbruiksmaterialen bij CMP.

Hoe chemie en abrasie samenwerken

De chemie zet de bovenkant van de laag om in een zachtere of beter oplosbare laag, en de abrasieve deeltjes, aangedrukt door de pad, vegen die laag weg, zodat vers materiaal bloot komt te liggen om opnieuw te reageren. Wolfraam-CMP laat dit duidelijk zien: wolfraam is te hard om alleen met abrasie efficiënt te polijsten, daarom vormen oxidatoren zoals waterstofperoxide of ijzerzouten een zachter oxide dat de deeltjes verwijderen. De verwijderingssnelheid volgt grofweg de vergelijking van Preston, snelheid = k × druk × relatieve snelheid, waarbij k afhangt van slurry, pad en laag; verhoogde gebieden krijgen een hogere lokale druk en polijsten sneller, wat het oppervlak vlak maakt.

De slurry afstemmen op de laag

Voor het polijsten van oxide en interlaagdiëlektricum worden meestal silica- of ceriaslurry's gebruikt. Ceriaslurry's kunnen oxide veel sneller polijsten dan siliciumnitride, wat nitride tot een natuurlijke stoplaag maakt bij shallow trench isolation (STI). Koper-CMP gebeurt in fasen met verschillende slurry's: een snelle stap voor het bulkkoper, een mildere clearingstap en een barrièrestap die Ta/TaN en een beetje diëlektricum verwijdert. Het eindpolijsten van kale siliciumwafers gebruikt alkalisch colloïdaal silica, waarvan de zachte, fijne deeltjes schadevrije spiegeloppervlakken geven met een ruwheid rond 0,1 nm.

Defecten, filtratie en reiniging

Slurrydeeltjes kunnen door indrogen, temperatuurschommelingen, pH-veranderingen of afschuiving in pompen samenklonteren tot clusters van micrometergrootte, en die clusters krassen wafers, wat koperlijnen kan kortsluiten of onderbreken en vooral schadelijk is voor kwetsbare low-k-lagen. Slurry wordt daarom rondgepompt, op temperatuur gehouden en vlak vóór het apparaat door filters van enkele micrometers geleid. Na het polijsten moeten achtergebleven deeltjes, metaalionen en remmers worden verwijderd met borstelreiniging en chemische reiniging terwijl de wafer nog nat is, omdat opgedroogde slurry zich stevig aan het oppervlak hecht.

Nu oefenen: vragen over Slurry

Welke uitspraak over de slurry die bij CMP wordt gebruikt is juist?

  1. AEen polijstvloeistof waarin schuurdeeltjes zoals silica of ceria zijn gedispergeerd in een chemische oplossing
  2. BEen lichtgevoelige hars die op de wafer wordt aangebracht
  3. CEen gas om plasma op te wekken
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: A. Een polijstvloeistof waarin schuurdeeltjes zoals silica of ceria zijn gedispergeerd in een chemische oplossing

Slurry is een vloeistof waarin schuurdeeltjes van enkele tientallen tot ruim honderd nm, zoals silica (SiO2), ceria (CeO2) en aluminiumoxide, zijn gedispergeerd in een chemische oplossing met oxidatiemiddel, pH-regelaar, corrosie-inhibitor en dispergeermiddel. Deeltjes en chemie worden gekozen naar de te polijsten film, bijvoorbeeld silica of ceria voor oxidefilms en silicagebaseerde slurry met oxidatiemiddel voor wolfraam en koper. Het is een groot deel van de kosten van de verbruiksmaterialen voor CMP, en een gebied waarin Japanse bedrijven sterk zijn.

Welke uitspraak over de rol van benzotriazool (BTA) en dergelijke stoffen die aan de slurry voor Cu-bedrading-CMP worden toegevoegd is juist?

  1. AZe vormen een beschermfilm op het koperoppervlak en onderdrukken overmatig etsen en corrosie
  2. BZe maken de schuurdeeltjes groter
  3. CZe geven de slurry kleur
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: A. Ze vormen een beschermfilm op het koperoppervlak en onderdrukken overmatig etsen en corrosie

Slurry voor Cu-CMP bevat een oxidatiemiddel zoals waterstofperoxide en een complexvormer zoals glycine, die koper oplost, maar zo zou ook koper in verzonken delen, dat niet gepolijst hoeft te worden, oplossen. Corrosie-inhibitors zoals BTA vormen op het koperoppervlak een beschermende molecuullaag die alleen op de verhogingen, waar de pad contact maakt, wordt verwijderd, zodat het polijsten verloopt en planarisatie en corrosiebescherming samengaan. Bij reiniging na het polijsten moet deze film worden verwijderd.

Veelgestelde vragen

Welk abrasief wordt gebruikt in CMP-slurry?

De meest gebruikte abrasieven zijn silica (fumed of colloïdaal) en ceria, met alumina in sommige metaalslurry's; de keuze hangt af van de laag die wordt gepolijst en de vereiste selectiviteit.

Waarom wordt ceriaslurry gebruikt voor STI-CMP?

Ceriaslurry's kunnen siliciumoxide veel sneller verwijderen dan siliciumnitride, zodat het polijsten in feite stopt op de nitridelaag die de actieve gebieden beschermt.

Wat veroorzaakt krassen bij CMP?

De meeste krassen komen van grote samengeklonterde slurrydeeltjes of harde brokstukjes die in de pad vastzitten, daarom wordt slurry gefilterd en rondgepompt en wordt de pad regelmatig geconditioneerd.

“Slurry” in de toelichting

Vragen met “Slurry” (17)

  1. Welke uitspraak over de slurry die bij CMP wordt gebruikt is juist?
  2. Welke uitspraak over de rol van benzotriazool (BTA) en dergelijke stoffen die aan de slurry voor Cu-bedrading-CMP worden toegevoegd is juist?
  3. Welke reden om bij wolfraam-CMP een oxidatiemiddel zoals waterstofperoxide aan de slurry toe te voegen is juist?
  4. Welke richtwaarde voor de grootte van de schuurdeeltjes in CMP-slurry is juist?
  5. Wat is het belangrijkste doel van een filter in de leiding waarmee slurry aan het polijstapparaat wordt toegevoerd?
  6. Welke vorm van CMP laat de schuurdeeltjes niet in de slurry maar maakt ze vast in de polijstpad?
  7. Welke uitspraak over CMP (chemisch-mechanisch polijsten) is juist?
  8. Wat moet bij reiniging na CMP vooral worden verwijderd?
  9. Welke grootheid is volgens de vergelijking van Preston, die de polijstsnelheid bij CMP beschrijft, evenredig met de polijstsnelheid?
  10. Wat is de belangrijkste oorzaak van fijne krassen (scratches) op het waferoppervlak bij CMP?
  11. Welke combinatie van processen waarin CMP wordt gebruikt is juist?
  12. Hoe heet het werk waarbij het oppervlak van de CMP-polijstpad met een diamantgereedschap wordt afgeslepen en geconditioneerd om de polijstsnelheid stabiel te houden?
  13. Welke beschrijving van de basisopbouw van een CMP-apparaat is juist?
  14. Welke reden om bij Cu-bedrading-CMP het polijsten gewoonlijk in meerdere stappen uit te voeren is juist?
  15. Bij voortgezet polijsten bij CMP stijgt de temperatuur van de polijstpad. Welke verandering van de polijstsnelheid is dan in het algemeen juist?

Verwante termen

CMP Numerieke apertuur (NA) Ceria (ceriumoxide) Contact STI (shallow trench isolation) Verdund fluorwaterstofzuur (DHF) Vergelijking van Preston Gate-last (replacement metal gate) Barrièremetaal (barrier metal) Selectiviteit

Naar de woordenlijst