Wat is Contact?

Deel dat de source, drain en gate van een transistor met de onderste bedradingslaag verbindt. Wordt gemaakt door in de isolatielaag geëtste contactgaten met onder meer wolfraam te vullen.

Japanse benaming: コンタクト

“Contact” komt voor in 26 oefenvragen uit 14 onderwerpen, bijv. Testen en inspectie, Geavanceerde transistoren (FinFET, GAA), MEMS en sensoren.

Vakgebied: Interconnectprocessen

Nu oefenen: vragen over Contact

Welke techniek bedekt de gate met een isolatiefilm, zodat geen kortsluiting met de gate ontstaat als de positie van het contact enigszins verschuift?

  1. ALDD
  2. BTSV
  3. CZelfuitgelijnd contact (SAC)
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: C. Zelfuitgelijnd contact (SAC)

Als de boven- en zijkant van de gate met bijvoorbeeld een nitridefilm zijn bedekt, stopt het etsen van het contact, ook als het naar de positie van de gate verschuift, op de isolatiefilm omdat nitride moeilijker wordt geëtst dan oxide, en bereikt het de gate niet. Door dit zelfuitgelijnde contact is de marge voor uitlijnfouten niet meer nodig en kan de afstand tussen gate en contact kleiner worden. Het heeft geleid tot technieken om de celoppervlakte te verkleinen, zoals COAG, waarbij het contact direct boven de gate wordt geplaatst.

Welk voordeel van een RF MEMS-schakelaar, die hoogfrequente signalen schakelt door mechanisch contact te openen en te sluiten, is juist?

  1. AAltijd sneller dan een halfgeleiderschakelaar
  2. BEr is geen contact, dus helemaal geen slijtage
  3. CSchakelen met geringe insertieverlies en weinig signaalvervorming is mogelijk
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: C. Schakelen met geringe insertieverlies en weinig signaalvervorming is mogelijk

Een RF MEMS-schakelaar opent en sluit een metaalcontact door een kleine beweegbare elektrode met elektrostatische kracht te verplaatsen; de weerstand in de aan-stand is laag, de capaciteit in de uit-stand is slechts enkele fF, het insertieverlies is met ongeveer 0,1 tot 0,5 dB laag en er is nauwelijks vervorming door niet-lineariteit zoals bij halfgeleiderschakelaars. Aan de andere kant duurt schakelen enkele µs tot enkele tientallen µs, en levensduur en betrouwbaarheid door contactslijtage en plakken, evenals de aandrijfspanning van enkele tientallen V, zijn knelpunten.

“Contact” in de toelichting

Vragen met “Contact” (26)

  1. Welke techniek bedekt de gate met een isolatiefilm, zodat geen kortsluiting met de gate ontstaat als de positie van het contact enigszins verschuift?
  2. Welk voordeel van een RF MEMS-schakelaar, die hoogfrequente signalen schakelt door mechanisch contact te openen en te sluiten, is juist?
  3. Welke laag wordt bij ArF-immersiebelichting boven op de fotoresist aangebracht om te voorkomen dat het immersiewater en de resist rechtstreeks in contact komen?
  4. Hoe heet het verder indrukken van de probenaald nadat deze het elektrodepad heeft geraakt, om een betrouwbaar contact te maken?
  5. Op welke plek op de chip worden de naalden van de probe card bij de wafertest in contact gebracht?
  6. Welk onderdeel van de testopspanning tussen tester en IC, dat met dunne veerbelaste pennen betrouwbaar contact maakt met de aansluitingen, is bedoeld?
  7. Welk apparaat absorbeert en verwijdert zure gassen in afgassen door ze met water of chemicaliën in contact te brengen?
  8. Welke uitspraak over de kenmerken van NAND-flashgeheugen ten opzichte van NOR is juist?
  9. Welke factor die de prestaties beperkt, wordt belangrijker bij transistoren die steeds verder zijn verkleind?
  10. Wat is het belangrijkste doel van het epitaxiaal opbouwen van kristal op de vinnen in source en drain van een FinFET?
  11. Hoe heet het verschijnsel waarbij een klein bewegend deel van MEMS tijdens de productie of het gebruik door onder meer oppervlaktespanning aan het substraat blijft plakken en niet meer beweegt?
  12. Hoe heet het verschijnsel waarbij bij een elektrostatische actuator met parallelle platen de beweegbare elektrode, als de spanning wordt verhoogd en een bepaalde positie wordt overschreden, plotseling naar de vaste elektrode wordt getrokken en blijft plakken?
  13. Wat is het belangrijkste doel van het afschuinen (bevelen) van de rand van een wafer?
  14. Welke methode laat een kristal op een substraat neerslaan en groeien uit bijvoorbeeld een oplossing in gesmolten metaal?
  15. Wat is de belangrijkste reden dat voor het vullen van een contactgat met CVD-wolfraam eerst een dunne laag zoals TiN (titaniumnitride) als ondergrond wordt aangebracht?

Verwante termen

Via Numerieke apertuur (NA) MEMS CVD Slurry CMP Fotoresist Antireflectiecoating (BARC) Pellicle Probe card

Naar de woordenlijst