Wat is Gate-last (replacement metal gate)?

Productiemethode waarbij eerst transistors met een dummygate worden gevormd en de dummy na hogetemperatuurstappen zoals de activering van source en drain wordt verwijderd en vervangen door een high-k-laag en een metalen gate.

Japanse benaming: ゲートラスト(リプレースメントメタルゲート)

“Gate-last (replacement metal gate)” komt voor in 2 oefenvragen uit 2 onderwerpen, bijv. Geavanceerde transistoren (FinFET, GAA), CMP en reiniging.

Vakgebied: Geavanceerde transistoren (FinFET, GAA)

Nu oefenen: vragen over Gate-last (replacement metal gate)

Welke uitspraak over het gate-last-proces (replacement metal gate) is juist?

AEerst wordt de metal gate gemaakt en daarna worden alle hogetemperatuurstappen uitgevoerd
BEerst wordt met een dummy gate de transistor gevormd en na de hogetemperatuurstappen wordt de dummy verwijderd en vervangen door een metal gate
CEr worden transistoren zonder gate gemaakt

Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: B. Eerst wordt met een dummy gate de transistor gevormd en na de hogetemperatuurstappen wordt de dummy verwijderd en vervangen door een metal gate

Hogetemperatuurstappen zoals het activeringsgloeien van source en drain (rond 1000 °C) kunnen de werkfunctie van high-k-films en metal gates veranderen. Bij gate-last worden de hogetemperatuurstappen eerst uitgevoerd met een dummy gate van polysilicium, wordt de tussenlaagfilm vlak geslepen om de dummy bloot te leggen en te verwijderen en worden in de ontstane sleuf de high-k-film en de metal gate ingevuld. Intel paste het toe bij de 45 nm-generatie en het is nu de hoofdstroom.

“Gate-last (replacement metal gate)” in de toelichting

Bij gate-last worden de hogetemperatuurstappen eerst uitgevoerd met een dummy gate van polysilicium, wordt de tussenlaagfilm vlak geslepen om de dummy bloot te leggen en te verwijderen en worden in de ontstane sleuf de high-k-film en de metal gate ingevuld.
Welke uitspraak over het gate-last-proces (replacement meta…
CMP wordt in veel processen gebruikt, zoals het planariseren van de opvuloxide van STI, het planariseren van intermetaaldiëlektrica, het verwijderen van overtollig metaal van wolfraam-plugs en Cu-bedrading, het blootleggen van de dummy-gate bij gate-last en het afwerken van het oppervlak vóór wafer bonding; in geavanceerde logica wordt het zelfs tientallen keren toegepast.
Welke combinatie van processen waarin CMP wordt gebruikt is…

Vragen met “Gate-last (replacement metal gate)” (2)

Verwante termen

CMP STI (shallow trench isolation) Slurry CFET (complementaire FET) DTCO (design-technology co-optimization) EOT (equivalente oxidedikte) FD-SOI (fully depleted SOI) FinFET GAA (gate-all-around) High-k/metal gate

Naar de woordenlijst