Wat is Elektromigratie?

Verschijnsel waarbij metaalatomen in de bedrading door de stroom worden verplaatst. Er ontstaan voids en hillocks, die onderbrekingen of kortsluitingen veroorzaken.

Japanse benaming: エレクトロマイグレーション

“Elektromigratie” komt voor in 25 oefenvragen uit 8 onderwerpen, bijv. Interconnectprocessen, Betrouwbaarheid, Geavanceerde transistoren (FinFET, GAA).

Vakgebied: Betrouwbaarheid

De elektronenwind en waar schade ontstaat

Geleidingselektronen verstrooien aan metaalionen en dragen impuls over, waardoor atomen in de richting van de elektronenstroom worden geduwd, tegengesteld aan de conventionele stroomrichting. Atomen bewegen vooral langs snelle diffusiepaden: korrelgrenzen in aluminium en het bovenste grensvlak tussen koper en zijn diëlektrische cap bij koper. Schade ontstaat waar deze atoomflux wordt onderbroken, zoals aan de bodem van een via die door het barrièremetaal wordt geblokkeerd. Atomen verlaten de stroomopwaartse kant zonder te worden aangevuld en er vormt zich een void, die de weerstand verhoogt of de lijn onderbreekt, terwijl atomen zich stroomafwaarts ophopen tot hillocks die het diëlektricum kunnen doen scheuren en kortsluiting met een naburige lijn kunnen maken.

De vergelijking van Black en levensduurtesten

De vergelijking van Black, MTTF = A·J⁻ⁿ·exp(Ea/kT), stelt dat de mediane levensduur afneemt met de stroomdichtheid J, met n doorgaans ongeveer 2, en exponentieel afneemt met de temperatuur. Betrouwbaarheidstests belasten lijnen daarom bij hoge stroomdichtheid en temperaturen rond 300 °C en extrapoleren vervolgens naar gebruiksomstandigheden. Faaltijden volgen een lognormale verdeling, en omdat een chip honderden miljoenen draden bevat, is het ontwerpdoel het tijdstip waarop een zeer kleine fractie, zoals 0,1 ppm, is uitgevallen. Dit legt per draad stroomdichtheidslimieten op in de orde van MA/cm².

Materialen en structuren die er weerstand aan bieden

Door ongeveer 0,5% koper aan aluminium toe te voegen komt koper op de korrelgrenzen terecht en wordt het transport van aluminium met een orde van grootte of meer vertraagd. Koperbedrading, met een soortelijke weerstand van ongeveer 1,7 µΩ·cm tegenover ongeveer 2,7 µΩ·cm voor aluminium en een hoger smeltpunt, verbeterde de bestendigheid tegen elektromigratie verder. Omdat koper vooral langs zijn bovenoppervlak beweegt, bepalen de diëlektrische cap (SiCN of SiN) en selectieve metaalcaps zoals kobalt de levensduur. Een bamboekorrelstructuur helpt aluminium sterk, maar is voor koper niet voldoende. In korte lijnen geldt het Blech-effect: tegenspanning (back-stress) stopt het netto transport wanneer stroomdichtheid maal lengte onder een kritische waarde ligt.

Ontwerpcontroles en verwante faalmechanismen

Ontwerpers voegen redundante via's toe, maken het metaal rond via's breder en voeren bij sign-off een elektromigratieanalyse uit samen met een IR-drop-analyse. Zelfopwarming in FinFET- en SOI-devices verhoogt de temperatuur van nabije draden en versnelt uitval. In flip-chip-soldeerbumps veroorzaakt current crowding in de hoek tussen spoor en bump nucleatie van voids, een van de redenen waarom koperpilaren de voorkeur krijgen. Elektromigratie moet niet worden verward met stressmigratie, waarbij voids ontstaan door thermische spanning zonder stroom, of met ionenmigratie, waarbij vocht metaalionen dendrieten laat vormen tussen elektroden onder spanning op printplaten.

Nu oefenen: vragen over Elektromigratie

Welke factor verkort de levensduur van bedrading volgens de vergelijking van Black, die de levensduur bij elektromigratie beschrijft?

  1. ADe bedrading dikker maken
  2. BEen hoge stroomdichtheid en een hoge temperatuur
  3. CDe temperatuur verlagen
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: B. Een hoge stroomdichtheid en een hoge temperatuur

In de vergelijking van Black wordt de gemiddelde tijd tot falen uitgedrukt als MTTF = A·J⁻ⁿ·exp(Ea/kT); die is omgekeerd evenredig met de n-de macht van de stroomdichtheid J (n is ongeveer 2) en neemt exponentieel af met de temperatuur. Daarom wordt bij tests de tijd tot falen versneld gemeten bij een hogere stroomdichtheid en temperatuur dan de gebruiksomstandigheden (bijvoorbeeld rond 300 °C) en met de vergelijking omgerekend naar de levensduur onder gebruiksomstandigheden. In het ontwerp wordt per bedrading een bovengrens voor de toegestane stroomdichtheid vastgesteld (bijvoorbeeld in de orde van MA/cm²).

Op welke plaatsen ontstaan bij elektromigratie gemakkelijk voids?

  1. APlaatsen waar de stroom van metaalatomen discontinu is, zoals de overgang tussen via en bedrading
  2. BHet midden van bedrading waar geen stroom vloeit
  3. CHet package-substraat buiten de chip
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: A. Plaatsen waar de stroom van metaalatomen discontinu is, zoals de overgang tussen via en bedrading

Bij elektromigratie worden atomen door de elektronenstroom verplaatst (elektronenwind). Op plaatsen waar de atomenstroom wordt onderbroken, zoals de overgang tussen via en bedrading en de barrière onder het via, vertrekken atomen aan de stroomopwaartse kant zonder te worden aangevuld, zodat voids ontstaan, en stroomafwaarts hopen atomen zich op en ontstaan hillocks (opbolling). In het ontwerp worden maatregelen genomen zoals redundante vias, verbreding van de bedrading rond het via en aandacht voor de stroomrichting.

Veelgestelde vragen

Wat is het verschil tussen elektromigratie en stressmigratie?

Elektromigratie wordt aangedreven door stroom, doordat elektronen metaalatomen langs de draad duwen. Stressmigratie vormt voids zonder enige stroom, doordat atomen bewegen om trekspanning door thermische mismatch af te bouwen, en is het ergst rond 150–250 °C.

Waarom is koper beter bestand tegen elektromigratie dan aluminium?

Koper heeft een hoger smeltpunt, zodat zijn atomen bij bedrijfstemperatuur minder beweeglijk zijn, wat een verbetering van de levensduur met een orde van grootte of meer oplevert. Door de lagere soortelijke weerstand is er bovendien minder opwarming bij dezelfde stroom.

Wat is het Blech-effect?

In korte draden bouwen atomen die naar één uiteinde worden geduwd een spanningsgradiënt op die een terugstroom aandrijft. Wanneer het product van stroomdichtheid en lijnlengte onder een kritische waarde ligt, heft deze terugstroom de elektronenwind op en degradeert de lijn niet.

“Elektromigratie” in de toelichting

Vragen met “Elektromigratie” (25)

  1. Welke factor verkort de levensduur van bedrading volgens de vergelijking van Black, die de levensduur bij elektromigratie beschrijft?
  2. Op welke plaatsen ontstaan bij elektromigratie gemakkelijk voids?
  3. Hoe heet de structuur waarin de bedradingsbreedte smaller is dan de kristalkorrels en korrelgrenzen dwars over de bedrading liggen, en wat is het effect op elektromigratie?
  4. Welke uitspraak over elektromigratie is juist?
  5. Welke storing kan optreden wanneer door elektromigratie een hillock (uitsteeksel) in de bedrading ontstaat?
  6. Welke statistische verdeling wordt veel gebruikt om de verdeling van de tijd tot storing van veel bedradingen in een levensduurtest van elektromigratie weer te geven?
  7. Op welke plaats zijn defecten bekend het meest waarschijnlijk wanneer bij soldeerbumps van flip-chips elektromigratie door grote stroom een probleem wordt?
  8. Welke oorzaak van zelfopwarming, die vaak een probleem is bij FinFET's en SOI-transistoren, is juist?
  9. Welke depositiemethode is vooral gebruikt om aluminiumbedradingslagen te maken?
  10. Wat is de belangrijkste reden waarom het bedradingsmateriaal van geavanceerde LSI's van aluminium (Al) door koper (Cu) is vervangen?
  11. Welk metaal wordt veel gebruikt voor het vullen van contactgaten die een transistor met de onderste bedradingslaag verbinden?
  12. Wat is het belangrijkste doel van een caplaag van onder meer kobalt op de bovenzijde van Cu-bedrading?
  13. Welk probleem treedt op als Cu onvoldoende is gevuld en er holtes (voids) in het via achterblijven?
  14. Wat is de belangrijkste reden waarom een Al-Cu-legering met ongeveer 0,5% toegevoegd koper voor aluminiumbedrading is gebruikt?
  15. Wat is het belangrijkste doel van de ontwerptruc om vias die boven en onder verbinden, waar mogelijk niet als één maar als twee of meer naast elkaar te plaatsen?

Verwante termen

Via Numerieke apertuur (NA) Vergelijking van Black (Black's equation) Drempelspanning (threshold voltage) CMP MTTF (gemiddelde tijd tot uitval) Contact FinFET Mobiliteit Sputteren

Naar de woordenlijst