Nederlands
Menu

Interconnectprocessen

Wat is de belangrijkste reden waarom het bedradingsmateriaal van geavanceerde LSI's van aluminium (Al) door koper (Cu) is vervangen?

  1. ADe soortelijke weerstand is lager en de weerstand tegen elektromigratie is ook hoger
  2. BHet is gemakkelijker te bewerken met droog etsen
  3. CDe hechting aan oxidefilm is zeer goed, zodat geen barrièrelaag nodig is
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: A. De soortelijke weerstand is lager en de weerstand tegen elektromigratie is ook hoger

Cu heeft een soortelijke weerstand van ongeveer 1,7 µΩ·cm, ruwweg 60% van die van Al (ongeveer 2,7 µΩ·cm), waardoor bedradingsvertraging en vermogen afnemen; door het hoge smeltpunt bewegen de atomen moeilijk, zodat de weerstand tegen elektromigratie ook meer dan een orde van grootte hoger is. IBM kondigde in 1997 massaproductie aan en vanaf ongeveer de 0,13 µm-generatie werd Cu de standaard. Cu vormt echter moeilijk vluchtige verbindingen, waardoor droog etsen lastig is, en diffundeert gemakkelijk in isolatiefilms; daarom wordt het met het damascene-proces gevormd en omgeven door barrièrelagen van onder meer Ta en TaN.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over Interconnectprocessen

  1. Welke omschrijving van het damascene-proces, dat algemeen wordt gebruikt voor het vormen van Cu-bedrading, is juist?
  2. Wat is het belangrijkste doel van het gebruik van Low-k-materiaal (lage diëlektrische constante) voor de tussenlaagisolatiefilm?
  3. Wat is het belangrijkste doel van een barrièremetaal zoals Ta of TaN bij Cu-bedrading?
  4. Welke omschrijving van een via in meerlaagse bedrading is juist?
  5. Met welke factor neemt de RC-vertraging van een bedrading ongeveer toe als de lengte wordt verdubbeld terwijl de dwarsdoorsnede en de bedradingsafstand gelijk blijven?

Vergelijkingen bij dit onderwerp