Driedimensionale transistor waarin de gate het als vin rechtopstaande kanaal vanaf drie zijden omsluit. Onderdrukt kortekanaaleffecten gemakkelijker.
Japanse benaming: FinFET
“FinFET” komt voor in 29 oefenvragen uit 8 onderwerpen, bijv. Geavanceerde transistoren (FinFET, GAA), MOSFET, Oxidatie en diffusie.
Vakgebied: Geavanceerde transistoren (FinFET, GAA)
Antwoord: A. Het kanaal staat als een vin (fin) rechtop en de gate omsluit het van drie kanten
Een FinFET is een driedimensionale transistor waarbij silicium als een vin met een breedte van enkele nm tot ruim tien nm en een hoogte van enkele tientallen nm rechtop staat en de gate beide zijkanten en de bovenkant omsluit. Omdat de gate het kanaal van drie kanten bestuurt, worden korte-kanaaleffecten gemakkelijker onderdrukt dan bij het planaire type en neemt de lekstroom in de uit-toestand af. Bovendien kan in de hoogterichting stroompad worden verkregen, zodat met een kleine oppervlakte een grote stroom wordt behaald. Sinds de 22 nm-generatie is de FinFET de standaard voor geavanceerde logica.
Antwoord: A. Ze wordt ingesteld via het aantal vinnen, dus de kanaalbreedte kent discrete waarden
Bij een FinFET liggen hoogte en breedte van de vinnen door het proces vast, dus de kanaalbreedte wordt ingesteld via het aantal vinnen en is een discrete waarde van 'zoveel vinnen' (breedtekwantisering). Het is daardoor moeilijk om in analoge schakelingen subtiele stroomverhoudingen te maken of de sterkteverhouding van de transistoren van een SRAM-cel fijn in te stellen, wat een ontwerpbeperking vormt. Nanosheet-GAA verzacht deze beperking.
Een FinFET is een driedimensionale transistor waarbij silicium als een vin met een breedte van enkele nm tot ruim tien nm en een hoogte van enkele tientallen nm rechtop staat en de gate beide zijkanten en de bovenkant omsluit.
Welke uitspraak over een structureel kenmerk van de FinFET …Bij een FinFET liggen hoogte en breedte van de vinnen door het proces vast, dus de kanaalbreedte wordt ingesteld via het aantal vinnen en is een discrete waarde van 'zoveel vinnen' (breedtekwantisering).
Welke uitspraak over de manier om de effectieve kanaalbreed…Bij FinFET's kan de kanaalbreedte alleen via het aantal vinnen worden bijgesteld, maar bij nanosheet-GAA kan de breedte van de gestapelde sheets (bijvoorbeeld 15 tot 50 nm) in de layout continu worden gevarieerd.
Welk ontwerpvoordeel van nanosheet-GAA-transistoren ten opz…Intel paste de FinFET (bij dat bedrijf Tri-Gate genoemd) bij de 22 nm-generatie toe voor massaproductie en bouwde hem vanaf Ivy Bridge in 2012 in producten in.
Welke combinatie van bedrijf en generatie die de FinFET (do…Bij kleine planaire transistoren was dat verslechterd tot 80 tot 100 mV/dec, maar bij FinFET's is het door besturing van drie kanten verbeterd tot circa 65 tot 70 mV/dec.
Hoe is de subthreshold-coëfficiënt (SS) in het algemeen ver…GAA (gate-all-around) Mobiliteit Nanosheet Drempelspanning (threshold voltage) SiGe (silicium-germanium) Uitputtingslaag (depletion layer) Via ALD (atomic layer deposition) Punch-through CMOS