Welke oorzaak van zelfopwarming, die vaak een probleem is bij FinFET's en SOI-transistoren, is juist?

Antwoord: C. Omdat het kanaal een smalle structuur heeft en door isolatiefilms is omgeven, zodat de opgewekte warmte moeilijk naar het substraat afvloeit

In smalle structuren zoals vinnen en structuren die omgeven zijn door oxidefilms met een lage warmtegeleidbaarheid (die van SiO2 is circa 1/100 van die van Si) vloeit de in de transistor opgewekte warmte moeilijk naar het substraat af en kan de temperatuur van het kanaal wel enkele tientallen °C hoger zijn dan die van de omgeving. Een hogere temperatuur verlaagt de mobiliteit en dus de stroom, en versnelt elektromigratie van nabije bedrading en degradatie van de component, zodat het bij betrouwbaarheidsevaluatie en schakelingontwerp in rekening moet worden gebracht.