Soort PVD waarbij ionen uit een plasma op een target botsen en de losgeslagen atomen zich op de wafer afzetten.
Japanse benaming: スパッタリング
“Sputteren” komt voor in 18 oefenvragen uit 4 onderwerpen, bijv. Laagafzetting (CVD, PVD), Interconnectprocessen, Procesmaterialen (gassen, chemicaliën).
Vakgebied: Laagafzetting (CVD, PVD)
Antwoord: A. PVD (physical vapor deposition)
Bij sputteren worden ionen uit een plasma, bijvoorbeeld van argon, met enkele honderden volt versneld en botsen ze op het target; de atomen die door de overgedragen impuls worden losgeslagen, worden op de wafer afgezet. Omdat het een fysisch verschijnsel zonder chemische reactie is, wordt het ingedeeld bij PVD. Het wordt gebruikt voor het aanbrengen van metaalbedrading, barrièremetalen (zoals Ta en TiN), seedlagen van Cu en elektroden. CVD berust op een chemische reactie van brongassen en thermische oxidatie is de oxidatie van het silicium zelf.
Antwoord: A. Het aan het target toegevoerde vermogen verhogen
Bij een groter aan het target toegevoerd vermogen nemen het aantal en de energie van de ionen die het target raken toe en worden meer atomen losgeslagen, zodat de depositiesnelheid vrijwel evenredig met het vermogen stijgt. Bij targets voor 300 mm wordt soms een vermogen van enkele tientallen kW aangelegd. Het grootste deel van het toegevoerde vermogen wordt echter warmte, dus het target wordt watergekoeld om temperatuurstijging, scheuren en het smelten van de bondinglaag te voorkomen, en ook de invloed op de laagkwaliteit verdient aandacht.
Bij sputteren worden ionen uit een plasma, bijvoorbeeld van argon, met enkele honderden volt versneld en botsen ze op het target; de atomen die door de overgedragen impuls worden losgeslagen, worden op de wafer afgezet.
In welke categorie valt het afzetten van lagen door sputter…Bij sputteren worden atomen fysiek van het oppervlak van het target losgeslagen, zodat na stabilisatie van de oppervlaktesamenstelling afgezet kan worden met vrijwel dezelfde samenstelling als het target.
Welk voordeel heeft sputteren ten opzichte van vacuümopdamp…De barrièrelaag (TaN/Ta) heeft een hoge weerstand en het plateren begint daarop niet gelijkmatig, dus wordt daarop door sputteren een dunne Cu-seedlaag van enkele tientallen nm gemaakt en daarna met plateren Cu gevuld.
Wat is de juiste functie van de dunne Cu-film die vóór het …Als op het oppervlak van de behuizing door sputteren een metaalfilm van enkele µm van onder meer koper wordt aangebracht en met de aarde van het substraat wordt verbonden, ontstaat een elektromagnetische afscherming waarmee EMI dun en klein wordt voorkomen zonder conventionele metalen behuizingen.
Wat is het doel van het vormen van een metaalfilm, bijvoorb…PVD zoals sputteren heeft over het algemeen een lage stapdekking omdat de atomen rechtlijnig bewegen (onderin diepe gaten soms 10 % of minder), CVD heeft een hoge omdat de oppervlaktereactie ook om hoeken heen werkt, en ALD bereikt vrijwel 100 %.
Welke uitspraak over stapdekking (step coverage) bij deposi…Plasma CVD Seedlaag ALD (atomic layer deposition) Via Elektrolytisch plateren (ECP) Thermische oxidatie Opbrengst (yield) Shadowing Numerieke apertuur (NA)