Interconnectprocessen

Wat is het belangrijkste doel van een caplaag van onder meer kobalt op de bovenzijde van Cu-bedrading?

  1. ADe weerstand van de bedrading bewust verhogen
  2. BDe bedrading transparant maken
  3. CDe beweging van atomen langs het Cu-oppervlak onderdrukken en de weerstand tegen elektromigratie verhogen
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: C. De beweging van atomen langs het Cu-oppervlak onderdrukken en de weerstand tegen elektromigratie verhogen

Elektromigratie in Cu-bedrading verloopt vooral door de beweging van atomen langs het grensvlak tussen de bovenzijde van de bedrading en de diëlektrische capfilm. Wanneer de bovenzijde selectief wordt bedekt met een metalen cap zoals kobalt, wordt de binding aan het grensvlak sterker en bewegen atomen moeilijker, waardoor de levensduur meer dan een orde van grootte kan toenemen. De cap wordt gevormd door selectieve depositie, waarbij alleen op de bedrading wordt gegroeid; selectiviteit is belangrijk omdat afzetting op de isolatiefilm lekstroom tussen bedradingen veroorzaakt.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over Interconnectprocessen

  1. Welke factor verkort de levensduur van bedrading volgens de vergelijking van Black, die de levensduur bij elektromigratie beschrijft?
  2. Welk aantal bedradingslagen in geavanceerde logische LSI's komt het best overeen?
  3. Wat is een juist voordeel van metalen zoals ruthenium (Ru), die als alternatief voor Cu voor fijne bedrading worden onderzocht?
  4. Hoe heet de film die op de bovenste laag van de chip wordt gevormd en de interne schakelingen beschermt tegen vocht, verontreiniging en mechanische krassen?
  5. Welk metaal wordt in veel LSI's gebruikt voor de elektrodepads in de bovenste laag waaraan wire bonding wordt uitgevoerd?