Interconnectprocessen

Op welke plaatsen ontstaan bij elektromigratie gemakkelijk voids?

  1. APlaatsen waar de stroom van metaalatomen discontinu is, zoals de overgang tussen via en bedrading
  2. BHet midden van bedrading waar geen stroom vloeit
  3. CHet package-substraat buiten de chip
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: A. Plaatsen waar de stroom van metaalatomen discontinu is, zoals de overgang tussen via en bedrading

Bij elektromigratie worden atomen door de elektronenstroom verplaatst (elektronenwind). Op plaatsen waar de atomenstroom wordt onderbroken, zoals de overgang tussen via en bedrading en de barrière onder het via, vertrekken atomen aan de stroomopwaartse kant zonder te worden aangevuld, zodat voids ontstaan, en stroomafwaarts hopen atomen zich op en ontstaan hillocks (opbolling). In het ontwerp worden maatregelen genomen zoals redundante vias, verbreding van de bedrading rond het via en aandacht voor de stroomrichting.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over Interconnectprocessen

  1. Welke tendens van de bedradingsvertraging ten opzichte van de gatevertraging is juist in LSI's waar schaalverkleining ver is gevorderd?
  2. Welk probleem verdient aandacht bij het bewerken van Low-k-film met etsen of ashing?
  3. Hoe heet de tijdsafhankelijke doorslag van de isolatiefilm tussen bedradingen, die belangrijker wordt naarmate de afstand tussen bedradingen kleiner wordt?
  4. Wat is de belangrijkste rol van bedrading in een LSI?
  5. Welke omschrijving van „meerlaagse bedrading” in een LSI is juist?