Implantation ionique

Si des impuretés à une dose de 1×10¹⁵ cm⁻² sont réparties uniformément sur une profondeur de 100 nm, quelle est approximativement leur concentration moyenne ?

  1. A1×10¹⁸ cm⁻³
  2. B1×10²² cm⁻³
  3. C1×10²⁰ cm⁻³
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Réponse : C. 1×10²⁰ cm⁻³

La concentration vaut « dose ÷ profondeur » ; avec 100 nm = 1×10⁻⁵ cm, on obtient 1×10¹⁵ ÷ 1×10⁻⁵ = 1×10²⁰ cm⁻³. Rapporté à la densité atomique du silicium (5×10²² cm⁻³), cela représente un atome sur 500. Les régions fortement dopées comme la source et le drain ont une concentration de cet ordre, proche de la solubilité limite ; maximiser l'activation est donc la clé de la réduction de résistance. Le profil réel étant gaussien, la concentration au pic dépasse cette moyenne.

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