On implante des ions monochargés sur un wafer de 100 cm² avec une dose de 1×10¹⁵ ions/cm². Avec un courant de faisceau de 1 mA, quelle est approximativement la durée d'implantation nécessaire ? (charge élémentaire 1,6×10⁻¹⁹ C)

Réponse : C. Environ 16 secondes

Le nombre total d'ions implantés est 1×10¹⁵ × 100 = 1×10¹⁷, de charge 1×10¹⁷ × 1,6×10⁻¹⁹ = 1,6×10⁻² C. Divisé par le courant de 1 mA = 1×10⁻³ C/s, cela donne 16 secondes. Dans un équipement réel, une partie du faisceau tombe hors du wafer et le temps de balayage aller-retour s'ajoute, ce qui allonge la durée. Les implanteurs fort courant utilisent des faisceaux de plusieurs dizaines de mA pour améliorer la productivité des implantations à forte dose.