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Implantation ionique

Quelle combinaison est correcte pour la distribution approchant le profil en profondeur des impuretés après implantation ionique et la grandeur désignant la profondeur de son pic ?

  1. ADistribution uniforme, avec un pic toujours en surface
  2. BDistribution gaussienne, la profondeur du pic étant appelée parcours projeté (Rp)
  3. CDistribution exponentielle, la profondeur du pic étant appelée longueur de diffusion
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Réponse : B. Distribution gaussienne, la profondeur du pic étant appelée parcours projeté (Rp)

Le profil des impuretés implantées est approximativement gaussien ; la profondeur du pic est le parcours projeté Rp et l'étalement l'écart-type ΔRp. La concentration au pic s'estime à environ « dose ÷ (2,5 × ΔRp) ». Rp et ΔRp dépendent de l'énergie d'accélération et des espèces ionique et de substrat, et sont tabulés. En pratique, le profil peut être asymétrique ou présenter une queue profonde due à la canalisation ; on utilise donc des fonctions de distribution plus précises ou la simulation.

Profil de concentration des dopants en profondeur après implantation ionique Profondeur Surface Concentration de dopants Rp (parcours projeté) ΔRp (dispersion) Pic Queue due à la canalisation (channeling)
Profil de concentration des dopants en profondeur après implantation ionique · Voir dans les schémas
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