Implantation ionique
En implantation ionique, quel paramètre détermine principalement la profondeur d'implantation des impuretés (parcours) ?
- AL'énergie d'accélération
- BLa dose
- CLa durée de nettoyage après implantation
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Réponse : A. L'énergie d'accélération
La profondeur d'implantation est déterminée principalement par l'énergie d'accélération des ions : plus elle est élevée, plus les ions pénètrent profondément. À titre indicatif, du bore implanté dans le silicium à 10 keV atteint environ 30 à 40 nm, et environ 0,3 µm à 100 keV. À énergie égale, les ions légers pénètrent plus profondément ; l'espèce ionique influe donc aussi sur la profondeur. La dose, nombre d'ions par unité de surface, détermine la concentration ; pouvoir la régler indépendamment de la profondeur est un atout de l'implantation ionique.