Méthode de dopage où des atomes d'impuretés sont diffusés dans le semi-conducteur à haute température. Ils se répartissent des zones de forte concentration vers celles de faible concentration.
Nom japonais: 熱拡散
« Diffusion thermique » apparaît dans 9 questions d'entraînement réparties sur 3 thèmes, dont Oxydation et diffusion, Implantation ionique, Croissance épitaxiale.
Domaine: Oxydation et diffusion
Réponse : B. Il permet plus facilement des variations de concentration abruptes en profondeur
En diffusion thermique, les dopants se propagent de la surface vers l'intérieur, si bien que seuls des profils maximaux en surface et décroissant progressivement sont réalisables. En croissance épitaxiale, la commutation du débit de gaz dopant permet de varier la concentration couche par couche, et de créer des transitions abruptes en quelques nm, des couches fortement dopées enterrées, voire des profils inversés faiblement dopés en surface et fortement en profondeur. C'est indispensable pour la base des HBT et les structures multicouches des composants de puissance.
Réponse : C. Redistribution (drive-in)
La diffusion thermique se fait souvent en deux étapes : le prédépôt introduit d’abord à faible profondeur une quantité définie de dopants en maintenant constante la concentration de surface, puis la redistribution (drive-in) chauffe sans apport supplémentaire pour étendre cette quantité vers l’intérieur et obtenir la profondeur et le profil voulus. Aujourd’hui, on introduit généralement les dopants par implantation ionique, qui fixe précisément la dose, puis on règle activation et profil par traitement thermique ; la méthode reste cependant utilisée pour les diffusions profondes des cellules solaires et des composants de puissance.
En diffusion thermique, les dopants se propagent de la surface vers l'intérieur, si bien que seuls des profils maximaux en surface et décroissant progressivement sont réalisables.
Quel avantage présente l'ajout de dopants pendant la croiss…La diffusion thermique se fait souvent en deux étapes : le prédépôt introduit d’abord à faible profondeur une quantité définie de dopants en maintenant constante la concentration de surface, puis la redistribution (drive-in) chauffe sans apport supplémentaire pour étendre cette quantité vers l’intérieur et obtenir la profondeur et le profil voulus.
En diffusion thermique, comment s’appelle l’étape qui, aprè…En diffusion thermique, la concentration de surface et la profondeur sont liées, et la haute température imposait un masque en oxyde.
Quel est le principal avantage de l'implantation ionique pa…La diffusion thermique des dopants étant quasi inexistante dans le SiC, les principales couches des dispositifs sont formées par croissance épitaxiale et implantation ionique.
Pourquoi la couche épitaxiale est-elle importante dans la f…On limite ainsi la diffusion thermique des dopants et l’apparition de défauts comme les défauts d’empilement induits par oxydation ; le procédé a servi notamment pour les dispositifs de puissance, qui exigent des oxydes épais.
Quel est l’avantage d’une oxydation thermique sous atmosphè…Implantation ionique Croissance épitaxiale Redistribution (drive-in) Dose Débit (throughput) HBT (transistor bipolaire à hétérojonction) Phosphine (PH3) Résine photosensible (photorésine) Recuit SiC (carbure de silicium)