Implantation ionique
Quelle méthode permet d'uniformiser la dose sur la surface du wafer en implantation ionique ?
- AFixer le faisceau sur un point et l'appliquer en continu
- BBalayer le faisceau ou le wafer pour exposer uniformément toute la surface du wafer
- CChauffer continuellement le wafer
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Réponse : B. Balayer le faisceau ou le wafer pour exposer uniformément toute la surface du wafer
Le faisceau d'ions étant plus petit que le wafer, on implante en balayant toute la surface : déviation latérale du faisceau par champ électrique ou magnétique, déplacement mécanique du wafer, ou faisceau élargi en ruban avec déplacement du wafer dans une direction. En corrigeant la vitesse de balayage selon la position et en mesurant le profil du faisceau par cage de Faraday pour rétroaction, on limite la non-uniformité de dose sur le wafer à environ 0,5 % ou moins.