Qu'est-ce que Cage de Faraday ?

Élément qui reçoit le faisceau d'ions et mesure le courant correspondant. Utilisé dans les implanteurs ioniques pour déterminer la quantité d'ions implantés (dose).

Nom japonais: ファラデーカップ

« Cage de Faraday » apparaît dans 4 questions d'entraînement réparties sur 1 thèmes, dont Implantation ionique.

Domaine: Implantation ionique

S'entraîner : questions sur Cage de Faraday

Quelle méthode permet d'uniformiser la dose sur la surface du wafer en implantation ionique ?

  1. AFixer le faisceau sur un point et l'appliquer en continu
  2. BBalayer le faisceau ou le wafer pour exposer uniformément toute la surface du wafer
  3. CChauffer continuellement le wafer
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Réponse : B. Balayer le faisceau ou le wafer pour exposer uniformément toute la surface du wafer

Le faisceau d'ions étant plus petit que le wafer, on implante en balayant toute la surface : déviation latérale du faisceau par champ électrique ou magnétique, déplacement mécanique du wafer, ou faisceau élargi en ruban avec déplacement du wafer dans une direction. En corrigeant la vitesse de balayage selon la position et en mesurant le profil du faisceau par cage de Faraday pour rétroaction, on limite la non-uniformité de dose sur le wafer à environ 0,5 % ou moins.

Dans un implanteur ionique, quel composant mesure le courant de faisceau pour déterminer la quantité d'ions implantés (dose) ?

  1. ACage de Faraday
  2. BMicrolentille
  3. CPellicule
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Réponse : A. Cage de Faraday

La cage de Faraday est une électrode en forme de coupelle qui reçoit le faisceau d'ions et mesure sa charge sous forme de courant. La charge par ion étant connue, l'intégration du courant dans le temps donne le nombre d'ions implantés (dose), et l'implantation est arrêtée lorsque la cible est atteinte. Si les électrons secondaires émis par l'impact du faisceau s'échappent, le courant est mal mesuré ; la structure confine donc les électrons par champ magnétique ou électrodes.

« Cage de Faraday » dans les explications

Questions mentionnant « Cage de Faraday » (4)

  1. Quelle méthode permet d'uniformiser la dose sur la surface du wafer en implantation ionique ?
  2. Dans un implanteur ionique, quel composant mesure le courant de faisceau pour déterminer la quantité d'ions implantés (dose) ?
  3. Quelle est la principale raison pour laquelle le trajet du faisceau d'un implanteur ionique est maintenu sous vide poussé ?
  4. Dans un implanteur ionique typique, quel est l'ordre correct de passage des ions ?

Termes associés

Dose Implantation ionique Vitesse de balayage (slew rate) MOL (middle-of-line) Plasma Caisson rétrograde (retrograde well) Canalisation (channeling) Diffusion accélérée transitoire (TED) Dopage plasma Effet d'ombrage (shadowing)

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