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Implantation ionique

Quelle est l'unité correcte de la dose en implantation ionique ?

  1. AeV
  2. Bions/cm² (nombre d'ions par unité de surface)
  3. CΩ/□
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Réponse : B. ions/cm² (nombre d'ions par unité de surface)

La dose est le nombre d'ions implantés par unité de surface du wafer, exprimé en ions/cm² (ou atoms/cm²). Par exemple, 10¹⁵ cm⁻² est du même ordre que le nombre d'atomes à la surface du silicium (environ 7×10¹⁴ cm⁻²). L'eV est l'unité de l'énergie d'accélération des ions et Ω/□ celle de la résistance carrée ; la résistance carrée après implantation sert souvent à vérifier la dose et le degré d'activation.

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