先進電晶體（FinFET與GAA）
下列關於 GAA（環繞式閘極，Gate-All-Around）型電晶體的說明，何者正確？
- A閘極只覆蓋通道的上表面
- B閘極包覆奈米片等通道的整個外圍
- C沒有閘極，只靠源極與汲極運作
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正確答案：B. 閘極包覆奈米片等通道的整個外圍
GAA 型是將數片厚度數 nm 的薄片狀（奈米片）或細線狀通道堆疊起來，並以閘極包覆其整個外圍的結構。由於從四個方向控制，閘極的控制力比 FinFET 更強，即使閘極長度更短也能抑制短通道效應。Samsung 於 3 nm 世代（2022 年）、TSMC 於 2 nm 世代、Intel 於 18A 世代採用，成為繼 FinFET 之後的標準結構。