先進電晶體（FinFET與GAA）
在 nMOS 與 pMOS 的奈米片之間夾入薄絕緣牆使其靠近，以縮小單元面積的結構是哪一個？
- AFD-SOI
- B平面型 MOSFET
- C叉形片（Forksheet）FET
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正確答案：C. 叉形片（Forksheet）FET
叉形片 FET 是將 nMOS 與 pMOS 的奈米片配置在厚度十幾 nm 左右之介電質牆的兩側，形成如叉子齒狀的結構。一般的 GAA 在 n 與 p 之間需要數十 nm 的間隔，但以牆隔開後可大幅縮減，能縮小標準單元與 SRAM 的面積。與 GAA 的差異在於閘極是包覆薄片三個方向，是介於 GAA 與 CFET 之間的世代候補。
- A. FD-SOI 是將薄矽層置於絕緣膜上的平面型結構。
- B. 平面型是具有平面通道的傳統結構。
- C. 正確。在介電質牆的兩側配置 n 與 p 的薄片。