先進電晶體（FinFET與GAA）
下列關於作為 GAA 下一世代結構而研究的 CFET（互補式 FET，Complementary FET）之特徵，何者正確？
- A取消閘極電極以簡化結構
- B將 nMOS 與 pMOS 在垂直方向堆疊，縮小單元面積
- C讓電晶體回到平面型
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正確答案：B. 將 nMOS 與 pMOS 在垂直方向堆疊，縮小單元面積
CFET 不是將構成 CMOS 電路的 nMOS 與 pMOS 並排，而是將奈米片上下堆疊的結構，有可能以接近一半的面積做出相同功能的電路。n 與 p 分別製作不同材料與閘極金屬的製程很複雜，向上下電晶體引出配線也是課題。目前正朝 2030 年代實用化的目標進行研發。