什麼是CFET(互補式場效電晶體)

將nMOS與pMOS電晶體垂直堆疊的結構。可大幅縮小CMOS電路的面積，因此持續進行開發。

日文名稱: CFET(相補型FET)

「CFET(互補式場效電晶體)」出現在1領域的3道練習題中（先進電晶體（FinFET與GAA）等）。

這個名詞所屬的領域: 先進電晶體（FinFET與GAA）

練習CFET(互補式場效電晶體)的題目

下列關於作為 GAA 下一世代結構而研究的 CFET（互補式 FET，Complementary FET）之特徵，何者正確？

  1. A取消閘極電極以簡化結構
  2. B將 nMOS 與 pMOS 在垂直方向堆疊，縮小單元面積
  3. C讓電晶體回到平面型
查看答案與解析

正確答案：B. 將 nMOS 與 pMOS 在垂直方向堆疊，縮小單元面積

CFET 不是將構成 CMOS 電路的 nMOS 與 pMOS 並排，而是將奈米片上下堆疊的結構，有可能以接近一半的面積做出相同功能的電路。n 與 p 分別製作不同材料與閘極金屬的製程很複雜，向上下電晶體引出配線也是課題。目前正朝 2030 年代實用化的目標進行研發。

解析中的「CFET(互補式場效電晶體)」

出現「CFET(互補式場效電晶體)」的題目（3題）

  1. 下列關於作為 GAA 下一世代結構而研究的 CFET（互補式 FET，Complementary FET）之特徵，何者正確？
  2. 將電晶體的層依序堆疊在晶圓上製作、而非靠貼合晶片的三維整合方式是哪一個？
  3. 在 nMOS 與 pMOS 的奈米片之間夾入薄絕緣牆使其靠近，以縮小單元面積的結構是哪一個？

相關名詞

GAA(環繞式閘極) 奈米片 CMOS TSV(矽穿孔) 後閘極製程(取代式金屬閘極) 隨機摻雜物波動(RDF) DTCO(設計與技術協同最佳化) EOT(等效氧化層厚度) FD-SOI(全空乏型SOI) FinFET(鰭式場效電晶體)

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