SOIウエハとは
えすおーあいうえは
シリコン基板の上に埋め込み酸化膜(BOX層)を挟んで薄いシリコン層をもつウエハ。水素イオンを注入したウエハを貼り合わせて剥離する方法などでつくる。寄生容量が小さく、FD-SOIやMEMSに使われる。
この用語の分野: シリコンウエハ
えすおーあいうえは
シリコン基板の上に埋め込み酸化膜(BOX層)を挟んで薄いシリコン層をもつウエハ。水素イオンを注入したウエハを貼り合わせて剥離する方法などでつくる。寄生容量が小さく、FD-SOIやMEMSに使われる。
この用語の分野: シリコンウエハ
SOIウエハでは、上部の単結晶シリコン層(数µm〜数十µm)の厚さが正確にそろっているため、そのまま可動構造の材料に使え、ポリシリコンのような残留応力の問題もありません。
MEMSの製造でSOIウエハがよく使われる理由として正しいものはどれか。数百℃の熱処理で注入した水素が微小な空洞をつくって層状につながり、その深さで剥離して、酸化膜の上に薄い単結晶シリコン層が残ったSOIウエハができます。
SOIウエハの代表的な製造方法として正しいものはどれか。MEMS 熱酸化 CMP インゴット ウエハのノッチ FZ法(フローティングゾーン法) MCZ法(磁場印加CZ法) 結晶方位 ゲッタリング サーマルドナー