FD-SOI(完全空乏型SOI)とは
えふでぃーそい
埋め込み酸化膜の上の非常に薄いシリコン層にトランジスタをつくり、チャネルを完全に空乏化させる技術。チャネルの不純物を少なくでき、基板バイアスでしきい値電圧を調整しやすい。
この用語の分野: 先端トランジスタ(FinFET・GAA)
解説の中の「FD-SOI(完全空乏型SOI)」
FD-SOIでは、厚さ5〜7 nm程度の極めて薄いシリコン層全体が空乏化するため、チャネルに不純物を入れなくても短チャネル効果を抑えられ、ランダムドーパントゆらぎによるばらつきが小さくなります。
完全空乏型SOI(FD-SOI)トランジスタの利点として正しいものはどれか。高周波のスイッチ(RF-SOI)や、低消費電力向けのFD-SOIで広く使われています。
SOI(Silicon On Insulator)構造の説明として正しいものはどれか。チャネルを無ドープにできるFinFETやFD-SOIは、この点でも有利です。
微細なトランジスタで、チャネル中の不純物原子の数や位置の統計的なばらつきによってしきい値電圧がばらつく現象を何と呼ぶか。
「FD-SOI(完全空乏型SOI)」が出てくる問題(3問)
関連する用語
短チャネル効果 ランダムドーパントゆらぎ(RDF) 接合容量(空乏層容量) ラッチアップ しきい値電圧 FinFET EOT(等価酸化膜厚) SADP(自己整合ダブルパターニング) ゲートラスト(リプレースメントメタルゲート) GAA(ゲートオールアラウンド)