シリコンウエハ

SOIウエハの代表的な製造方法として正しいものはどれか。

  1. Aシリコンを熱酸化するだけで埋め込み酸化膜をつくる
  2. Bウエハを溶かして再結晶させる
  3. C水素イオンを注入したウエハを別のウエハに貼り合わせ、注入した深さで剥離して薄いシリコン層を残す
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正解：C. 水素イオンを注入したウエハを別のウエハに貼り合わせ、注入した深さで剥離して薄いシリコン層を残す

代表的な方法(スマートカット法)では、表面を酸化して水素イオンを注入したウエハを支持基板と貼り合わせ、熱処理で水素注入位置から剥離させます。こうして、酸化膜の上に薄い単結晶シリコン層が残ったSOIウエハができます。剥がしたウエハは再利用できます。

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