什麼是SOI晶圓

在矽基板上隔著埋入氧化層(BOX層)擁有一層薄矽層的晶圓。例如以貼合已植入氫離子的晶圓再剝離的方法製成。寄生電容小,用於FD-SOI與MEMS。

日文名稱: SOIウエハ

「SOI晶圓」出現在1領域的1道練習題中(矽晶圓等)。

這個名詞所屬的領域: 矽晶圓

練習SOI晶圓的題目

下列關於SOI晶圓代表性製造方法的敘述,哪一項是正確的?

  1. A只要將矽熱氧化就能形成埋入氧化膜
  2. B把晶圓熔化後使其再結晶
  3. C將植入氫離子的晶圓貼合到另一片晶圓上,在植入的深度處剝離,留下薄矽層
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正確答案:C. 將植入氫離子的晶圓貼合到另一片晶圓上,在植入的深度處剝離,留下薄矽層

在智能剝離法(Smart Cut)中,先將表面熱氧化並在數百nm的深度植入氫離子,再把該晶圓與支撐基板貼合。經數百℃的熱處理,植入的氫會形成微小空洞並連成層狀,在該深度處剝離後,就得到氧化膜上留有薄單晶矽層的SOI晶圓。表面以CMP精修,並以數nm為單位調整厚度。剝離後剩下的晶圓可重新拋光再利用。

解析中的「SOI晶圓」

出現「SOI晶圓」的題目(1題)

  1. 下列關於SOI晶圓代表性製造方法的敘述,哪一項是正確的?

出現這個名詞的比較

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