什麼是SOI晶圓
在矽基板上隔著埋入氧化層(BOX層)擁有一層薄矽層的晶圓。例如以貼合已植入氫離子的晶圓再剝離的方法製成。寄生電容小,用於FD-SOI與MEMS。
日文名稱: SOIウエハ
「SOI晶圓」出現在1領域的1道練習題中(矽晶圓等)。
這個名詞所屬的領域: 矽晶圓
在矽基板上隔著埋入氧化層(BOX層)擁有一層薄矽層的晶圓。例如以貼合已植入氫離子的晶圓再剝離的方法製成。寄生電容小,用於FD-SOI與MEMS。
日文名稱: SOIウエハ
「SOI晶圓」出現在1領域的1道練習題中(矽晶圓等)。
這個名詞所屬的領域: 矽晶圓
經數百℃的熱處理,植入的氫會形成微小空洞並連成層狀,在該深度處剝離後,就得到氧化膜上留有薄單晶矽層的SOI晶圓。
下列關於SOI晶圓代表性製造方法的敘述,哪一項是正確的?熱氧化 CMP(化學機械研磨) 西門子法 吸附雜質技術(Gettering) 氧析出物(BMD) 偏析係數 晶格滑移 晶棒 晶圓缺口(Notch) 晶體方向