只在未被絕緣膜覆蓋、矽裸露的部分成長晶體的方法。用於電晶體源極、汲極的SiGe等。
日文名稱: 選択エピタキシャル成長
這個名詞所屬的領域: 磊晶成長
4H-SiC 自摻雜 異質磊晶 貫穿差排 晶格不匹配 超晶格 階梯流成長 磊晶成長 橫向磊晶成長(ELO) 錯配差排
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