エピタキシャル成長

選択エピタキシャル成長の説明として正しいものはどれか。

  1. Aウエハ全面に均一に成長させる
  2. Bアモルファスの膜を選んで成長させる
  3. Cシリコンが露出した部分にだけ結晶を成長させ、絶縁膜の上には成長させない
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正解：C. シリコンが露出した部分にだけ結晶を成長させ、絶縁膜の上には成長させない

選択エピタキシャル成長では、成長条件を調整して、シリコンが露出した部分だけに結晶を成長させ、酸化膜や窒化膜の上には成長させません。先端CMOSのソース・ドレインにSiGeやSiCを埋め込んでチャネルにひずみを加える工程などで使われています。

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