格子不整合とは

解説の中の「格子不整合」

• SiCは熱伝導率が約400 W/(m·K)とSi(約150)やサファイア(約35)より高く、GaNとの格子不整合も約3.5%と比較的小さいため、基地局やレーダー用の高周波・高出力GaN HEMTの基板に使われます(GaN-on-SiC)。

  GaN HEMTの基板としてSiCが使われる主な理由の一つはどれか。

「格子不整合」が出てくる問題(3問)

1. 基板と成長膜の格子定数の差(格子不整合)が大きいときに起こりやすい問題はどれか。
2. 格子不整合のある系で、最初の数原子層は層状に成長し、ひずみがたまると島状に成長に変わる成長様式はどれか。量子ドットの作製にも利用される。
3. GaN HEMTの基板としてSiCが使われる主な理由の一つはどれか。

関連する用語

臨界膜厚 ミスフィット転位 貫通転位 超格子 GaAs(ガリウムヒ素) GaN(窒化ガリウム) HEMT(高電子移動度トランジスタ) SiC(炭化ケイ素) HVPE(ハイドライド気相成長) エピタキシャル成長