選択エピタキシャル成長란?

せんたくえぴたきしゃるせいちょう

絶縁膜で覆われていない、シリコンが露出した部分だけに結晶を成長させる方法。トランジスタのソース・ドレインのSiGeなどに使われる。

일본어 명칭: 選択エピタキシャル成長

분야: 에피택셜 성장