横方向エピタキシャル成長(ELO)とは
よこほうこうえぴたきしゃるせいちょう
マスクの開口部から結晶を成長させ、マスクの上を横方向に広げる成長法。マスクの上の部分には下の層の転位が伝わりにくく、GaNなどの転位を減らせる。
この用語の分野: エピタキシャル成長
よこほうこうえぴたきしゃるせいちょう
マスクの開口部から結晶を成長させ、マスクの上を横方向に広げる成長法。マスクの上の部分には下の層の転位が伝わりにくく、GaNなどの転位を減らせる。
この用語の分野: エピタキシャル成長
ELOでは、SiO2などのマスクにストライプ状の開口部を設け、そこから成長した結晶がマスクの上を横方向に広がって合体します。
GaNなどで、マスクの開口部から結晶を成長させ、マスクの上を横方向に成長させることで転位を減らす技術を何と呼ぶか。GaN(窒化ガリウム) HVPE(ハイドライド気相成長) エピタキシャル成長 MOCVD(有機金属気相成長) MBE(分子線エピタキシー) オートドーピング 貫通転位 格子不整合 SiGe(シリコンゲルマニウム) ステップフロー成長