化合物半導体

InP基板の上に、組成を調整したInGaAsを格子整合させて成長させる利点として正しいものはどれか。

  1. A基板が必ず安くなる
  2. B格子定数をそろえることで、転位の少ない高品質な結晶が得られる
  3. C必ず間接遷移型になる
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正解：B. 格子定数をそろえることで、転位の少ない高品質な結晶が得られる

In0.53Ga0.47Asのように組成を調整すると、InGaAsの格子定数をInPとほぼ一致させられます。格子定数がそろっていればひずみや転位が生じにくく、厚い層でも高品質な結晶が得られます。光通信用の受光素子やHEMTなどに使われています。

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